[发明专利]准原子层蚀刻方法

摘要

本文中的技术包括蚀刻方法，该蚀刻方法逐渐地蚀刻材料层，类似于原子层蚀刻(ALE)的单层蚀刻，但不必需包括ALE的自限制、单层作用。这样的技术可以认为是准原子层蚀刻(Q‑ALE)。本文中的技术有益于例如在软掩模打开期间的精确蚀刻应用。本文中的技术能够将给定掩模图案精确地转移到下面的层中。通过仔细地控制在其时间周期内相对于聚合物辅助蚀刻的聚合物沉积，非常薄的共形聚合物层可以被活化并用于精确地蚀刻和转移期望的图案。

主权项

1.一种处理基底的方法，所述方法包括：接收具有工作表面的基底，所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案；执行共形膜沉积过程，所述共形膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜，其中所述聚合物膜的厚度小于3纳米；执行活化蚀刻过程，所述活化蚀刻过程使用所述共形膜蚀刻所述下面的层，直到所述共形膜从所述下面的层的平行于所述工作表面的水平表面除去；以及使共形膜沉积和活化蚀刻循环进行的步骤，直到除去预定量的未被所述凹凸图案覆盖的所述下面的层。