[发明专利]准原子层蚀刻方法

权利要求书

1.一种处理基底的方法，所述方法包括：

接收具有工作表面的基底，所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案；

执行聚合物膜沉积过程，所述聚合物膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜，其中所述聚合物膜的厚度小于3纳米；

执行活化蚀刻过程，所述活化蚀刻过程使用所述聚合物膜蚀刻所述下面的层，直到所述聚合物膜从所述下面的层的平行于所述工作表面的水平表面被除去；以及

循环进行聚合物膜沉积和活化蚀刻的步骤，直到除去预定量的未被所述凹凸图案覆盖的所述下面的层，

其中执行所述聚合物膜沉积包括将等离子体维持在第一离子能量，以及其中执行所述活化蚀刻过程包括将等离子体维持在第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量，所述第一离子能量比足以活化蚀刻沉积材料以及离子结合的阈值能量低。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹凸图案包含光致抗蚀剂材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述光致抗蚀剂材料为EUV光致抗蚀剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述下面的层为软掩模材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述聚合物膜沉积过程包括使用各向同性沉积方法，其中执行所述活化蚀刻过程包括使用各向异性蚀刻方法。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述活化蚀刻过程包括将低频偏置电源耦接至等离子体处理室。

7.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述聚合物膜沉积包括沉积所述聚合物膜1秒至9秒，其中执行所述活化蚀刻过程包括各向异性蚀刻所述下面的层3秒至9秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述聚合物膜沉积包括通过基于所述基底的工作表面的孤立-密集特性而选择性地使用连续波等离子体或脉冲等离子体来控制共形度。

9.一种处理基底的方法，所述方法包括：

接收具有工作表面的基底，所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案；

执行聚合物膜沉积过程，所述聚合物膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜，其中所述聚合物膜的厚度小于3纳米；

执行活化蚀刻过程，所述活化蚀刻过程使用所述聚合物膜蚀刻所述下面的层，直到所述聚合物膜从所述下面的层的平行于所述工作表面的水平表面被除去；以及

循环进行聚合物膜沉积和活化蚀刻的步骤，直到除去预定量的未被所述凹凸图案覆盖的所述下面的层，其中执行所述聚合物膜沉积包括使用C_xF_y处理气体，其中执行所述活化蚀刻过程包括停止C_xF_y处理气体流。

10.一种处理基底的方法，所述方法包括：

接收具有工作表面的基底，所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案；

执行聚合物膜沉积过程，所述聚合物膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜，其中所述聚合物膜沉积过程执行1秒至9秒；

执行活化蚀刻过程，所述活化蚀刻过程使用所述聚合物膜蚀刻所述下面的层3秒至9秒；以及

循环进行聚合物膜沉积和活化蚀刻的步骤直到除去预定量的所述下面的层，

其中执行所述聚合物膜沉积包括将等离子体维持在第一等离子体密度，以及其中执行所述活化蚀刻过程包括将等离子体维持在第二等离子体密度，所述第一等离子体密度小于所述第二等离子体密度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中凹凸图案为软掩模材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中执行所述聚合物膜沉积过程包括使用各向同性沉积方法，其中执行所述活化蚀刻过程包括使用各向异性蚀刻方法。