[发明专利]用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备有效
| 申请号： | 201780059446.3 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109844864B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | W.吴;J.B.卡恩;S.N.特里卡;Y.邹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C29/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备。非易失性存储器中的每个存储单元利用阈值电压电平被编程，并且根据来自多个页的位来编程每个存储单元。存储器控制器将存储单元组织为存储单元组，其各自存储利用阈值电压电平所编程的信息的m个位。确定要用于存储单元组中的每个存储单元以利用定义多个有效状态之一的阈值电压电平在存储单元组中对所选择的k个位进行编程的一个阈值电压电平。对于任何2个有效状态中的存储单元组的存储单元的至少一个的阈值电压电平相差至少2个阈值电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 单元 存储 非易失性存储器 进行 编程 提供 保持 差错 位置 信息 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于对存储单元的状态进行编程以提供保持差错的差错位置信息的设备，包括：具有存储单元的非易失性存储器，其中每个存储单元使用多个阈值电压电平被编程具有信息，并且其中根据来自多个页的位来编程每个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器配置成对所述存储单元进行编程，并且配置成：将所述非易失性存储器中的所述存储单元组织为存储单元组，其中每个存储单元组存储信息的m个位，其中每个所述存储单元组中的每个所述存储单元利用所述多个阈值电压电平被编程；从所述页中选择要对一个存储单元组进行写入的k个位，其中k<m，并且其中k和m为大于零的整数值；以及确定要用于该存储单元组中的每个所述存储单元以在该存储单元组中对所选择的k个位进行编程的一个阈值电压电平，其中各k个位利用定义多个有效状态之一的阈值电压电平被编程，其中对于任何2个有效状态中的该存储单元组的所述存储单元的至少一个的所述阈值电压电平相差至少2个阈值电压电平。
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