[发明专利]用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备

说明书

提供了一种用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备。非易失性存储器中的每个存储单元利用阈值电压电平被编程，并且根据来自多个页的位来编程每个存储单元。存储器控制器将存储单元组织为存储单元组，其各自存储利用阈值电压电平所编程的信息的m个位。确定要用于存储单元组中的每个存储单元以利用定义多个有效状态之一的阈值电压电平在存储单元组中对所选择的k个位进行编程的一个阈值电压电平。对于任何2个有效状态中的存储单元组的存储单元的至少一个的阈值电压电平相差至少2个阈值电压电平。

技术领域

本文所述的实施例一般涉及用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错收集信息的方法和设备。

背景技术

固态存储装置（例如固态驱动器）可由非易失性存储器管芯的一个或多个封装来组成，其中每个管芯由存储单元来组成，其中存储单元被组织为页，并且页被组织为块。每个存储单元能够存储信息的一个或多个位。多级单元非易失性存储器单元（例如表示信息的2个位的MLC NAND）用4个阈值电压电平E、P1、P2和P3被编程。

保持差错在单元的所存储电压电平遭遇泄漏并且转变或迁移到更低阈值电平（例如从P3到P2、P2到P1或P1到E）时发生。保持差错也可由于引入电压移动（更高或更低）（例如读或写入扰动）的操作而发生。纠错码技术通过计算检验子并且将检验子连同奇偶校验信息一起用来校正被确定为具有差错的位中的差错来识别差错的位置。

本领域存在对于用于确定遭遇差错的数据的位置以计算检验子并且与奇偶校验信息配合用来校正保持差错的改进技术的需要。

附图说明

参照附图作为示例来描述实施例，附图不是按比例绘制，其中类似参考标号指的是类似元件。

图1示出非易失性存储器存储装置的实施例。

图2示出存储管芯控制器的实施例。

图3示出装置页的装置页信息的实施例。

图4示出提供变换所接收的位的转化函数的状态映射的实施例。

图5A、图5B和图5C示出包括2个存储单元的存储单元组的不同可能数量的有效状态的实施例，其中每个单元用4个阈值电压电平之一被编程。

图6A示出当一半状态为有效且一半为无效时的存储单元对的阈值电压电平到信息的3个位的单元到位映射的实施例。

图6B示出将存储单元阈值电压电平映射到从存储装置所读取的4个位并且映射到3个位以返回的真值表。

图7A示出当状态的四分之一为有效而四分之三为无效时存储单元对的阈值电压电平到信息的2个位的单元到位映射的实施例。

图7B示出将存储单元阈值电压电平映射到从存储装置所读取的4个位并且映射到2个位以返回的真值表。

图8示出将数据的多个页写入到组织为（一个或多个）存储单元组的装置页的操作的实施例。

图9A和图9B示出最低有效位并且然后最高有效位到存储单元对的二步编程。

图10示出按照图9A和图9B对存储单元对进行编程的编程步骤的编程表。

图11A和图11B示出最高有效位并且然后最低有效位到存储单元对的二步编程。

图12示出按照图11A和图11B对存储单元对进行编程的编程步骤的编程表。

图13A、图13B、图13C、图13D和图13E提供用于在要写入的位和关于所存储的位的信息之间进行转化的操作。

图14示出读取存储单元对的操作的实施例。

图15示出进行压缩、加密、纠错码、并且加扰数据页的操作的实施例。