[发明专利]纳米晶合金磁芯、磁芯组件和纳米晶合金磁芯的制造方法有效
| 申请号： | 201780056925.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109716463B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 萩原和弘;中田二友 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C21D6/00;H01F1/153;H01F27/24;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在纳米晶合金磁芯的制造方法中，对于通过卷绕或层叠而得到的非晶合金带材的磁芯，利用热处理使其发生纳米晶化，该纳米晶合金磁芯的制造方法包括进行一次热处理的一次热处理工序，和在一次热处理工序后进行的二次热处理工序，其中，在一次热处理中，使磁芯在无磁场环境下从比晶化开始温度低的温度升温至晶化开始温度以上，二次热处理工序包括二次温度保持工序和之后的二次降温工序，在二次温度保持工序中，将磁芯在无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度，在二次降温工序中，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 合金 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶合金磁芯的制造方法，对于通过卷绕或层叠非晶合金带材而得到的磁芯，利用热处理使其发生纳米晶化，其特征在于，包括：进行一次热处理的一次热处理工序；和在一次热处理工序后进行的二次热处理工序，其中，在一次热处理中，使所述磁芯在无磁场环境下从比晶化开始温度低的温度升温至晶化开始温度以上，所述二次热处理工序包括二次温度保持工序和之后的二次降温工序，在二次温度保持工序中，将磁芯在无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度，在二次降温工序中，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温。
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