[发明专利]纳米晶合金磁芯、磁芯组件和纳米晶合金磁芯的制造方法

权利要求书

1.一种纳米晶合金磁芯的制造方法，对于通过卷绕或层叠非晶合金带材而得到的磁芯，利用热处理使其发生纳米晶化，其特征在于，包括：

进行一次热处理的一次热处理工序；和

在一次热处理工序后进行的二次热处理工序，

其中，在一次热处理中，使所述磁芯在无磁场环境下从比晶化开始温度低的温度升温至晶化开始温度以上，

所述二次热处理工序包括二次温度保持工序和之后的二次降温工序，

在二次温度保持工序中，将磁芯在无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度，

在二次降温工序中，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温，

所述纳米晶合金磁芯的阻抗相对导磁率μrz在100kHz频率下为48000以上。

2.如权利要求1所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述二次温度保持工序中，在磁芯的温度到达相对于开始施加磁场的时间点的温度的±5℃的范围后，在该温度的范围内保持1分钟以上的时间。

3.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

以60kA/m以上的磁场强度施加所述磁场。

4.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述二次热处理的保持温度为200℃以上500℃以下。

5.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述一次热处理的保持温度为550℃以上600℃以下。

6.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述非晶合金带材的厚度为7μm以上15μm以下。

7.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述非晶合金带材具有由如下通式表示的组分：(Fe_1-aM_a)_{100-x-y-z-α-β-γ}Cu_xSi_yB_zM′_αM″_βX_γ(原子％)(其中，M是Co和/或Ni，M′是选自Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W中的至少一种元素，M″是选自Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn、Re中的至少一种元素，X是选自C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be、As中的至少一种元素，a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≤a≤0.5，0.1≤x≤3，0≤y≤30，0≤z≤25，5≤y+z≤30，0≤α≤20，0≤β≤20和0≤γ≤20)。

8.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述二次热处理之后还具有浸渍树脂的工序。

9.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述二次热处理中将磁芯在所述无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度后，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边保持该温度，之后一边在与上述磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温。

10.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述二次温度保持工序中，在磁芯的温度到达相对于降温开始温度的±5℃的范围后，在该温度范围内保持1分钟以上的时间，之后一边保持该温度范围一边在与磁路正交的方向上施加磁场。

11.如权利要求1或2所述的纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述二次热处理工序中，在将磁芯在所述无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度后，从开始降温的时间点起，一边在与所述磁路正交的方向上施加磁场一边开始降温。