[发明专利]用于PGA或PGIA的低电容开关有效
| 申请号： | 201780053662.7 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109643729B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | S·赫雷拉;A·K·杰夫里 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/76;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述低电容n‑沟道模拟开关电路、p‑沟道模拟开关电路和全CMOS传输门(T‑栅极)电路。电阻去耦可用于将开关或T‑栅极与AC接地隔离。与通过场效应晶体管(FET)的主体区域分开的半导体区域，例如通过绝缘体，可以耦合到或驱动到类似于输入电压或其他期望的偏置电压的电压(例如运算放大器输出)有助于降低开关或T‑栅极的寄生电容。开关或T‑栅极可以帮助提供改善的频率带宽或频率响应。该开关可用于可编程增益放大器(PGA)或可编程增益设备放大器(PGIA)或其他过量开关电容会降低电路性能的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pga pgia 电容 开关 | ||
【主权项】：
1.模拟开关电路，包括：第一传输FET，包括耦合到第一控制信号输入的栅极、耦合到信号输入的第一传导端子、耦合到信号输出的第二传导端子、以及第一主体，其中所述第一主体通过第一绝缘体与局部第一半导体区域分离。
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