[发明专利]用于PGA或PGIA的低电容开关

权利要求书

1.一种模拟开关电路，包括：

第一传输FET，所述第一传输FET包括耦合到第一控制信号输入的栅极、耦合到信号输入的第一传导端子、耦合到信号输出的第二传导端子、以及第一主体，其中所述第一主体与局部第一半导体区域被第一绝缘体分离，其中所述局部第一半导体区域与所述第一主体和基板绝缘，以便能够独立于所述第一主体而被可切换地驱动，其中所述局部第一半导体区域被耦合到所述信号输出或所述信号输入的电压，或所述局部第一半导体区域被驱动到所述信号输出或所述信号输入的电压。

2.如权利要求1所述的模拟开关电路，其中所述局部第一半导体区域通过被第二绝缘体附加地电隔离而专用于所述模拟开关电路，所述第二绝缘体与所述第一绝缘体和下面的第三绝缘体一起形成所述第一传输FET周围或附近的壕沟区域，并且其中所述局部第一半导体区域被耦合到电路节点或被驱动到偏置电压。

3.如权利要求2所述的模拟开关电路，所述模拟开关电路被包括在可编程增益放大器电路的反馈网络中的，其中所述局部第一半导体区域电连接到所述可编程增益放大器电路的放大器的信号输出。

4.如权利要求2所述的模拟开关电路，所述模拟开关电路被包括在可编程增益设备放大器电路的反馈网络中，其中所述局部第一半导体区域电连接到所述可编程增益设备放大器电路中的放大器的信号输出。

5.如权利要求1所述的模拟开关电路，其中当所述第一传输FET断开时所述第一主体经由第一主体去耦电阻器可切换地耦合到第一偏置电压，当所述第一传输FET开启时所述第一主体也可切换地耦合到所述信号输入或所述信号输出中的至少一个。

6.如权利要求5所述的模拟开关电路，其中当所述第一传输FET开启时所述第一主体可切换地耦合到所述信号输入。

7.如权利要求1所述的模拟开关电路，其中所述第一传输FET包括经由第一栅极去耦电阻器耦合到所述第一控制信号输入的栅极。

8.如权利要求1所述的模拟开关电路，还包括：

第二传输FET，所述第二传输FET包括耦合到第二控制信号输入的栅极、耦合到所述信号输入的第一传导端子、耦合到所述信号输出的第二传导端子、以及第二主体，其中所述第二主体与局部第二半导体区域被绝缘体分离，其中所述局部第二半导体区域被耦合到电路节点或被驱动到偏置电压；和

其中所述第一传输FET是NFET和所述第二传输FET是PFET，并且其中所述第一传输FET和所述第二传输FET彼此互补以形成传输门。

9.如权利要求8所述的模拟开关电路，其中所述局部第一半导体区域和所述局部第二半导体区域在所述第一传输FET和所述第二传输FET之间共同共享。

10.如权利要求8所述的模拟开关电路，其中所述第二传输FET包括经由第二栅极去耦电阻器耦合到所述第二控制信号输入的栅极。

11.一种模拟开关电路，包括：

第一传输FET，所述第一传输FET包括经由第一栅极去耦电阻器耦合到第一控制信号输入的栅极、耦合到信号输入的第一传导端子、耦合到信号输出的第二传导端子、以及第一主体，所述第一主体与局部第一半导体区域被第一绝缘体分离；和

第二传输FET，所述第二传输FET包括经由第二栅极去耦电阻器耦合到第二控制信号输入的栅极、耦合到所述信号输入的第一传导端子、耦合到所述信号输出的第二传导端子、以及第二主体，所述第二主体与局部第二半导体区域被第二绝缘体分离；和

其中所述局部第一半导体区域和所述局部第二半导体区域电连接到放大器信号输出，和

其中所述局部第一半导体区域和所述局部第二半导体区域与所述第一主体和基板绝缘，以便能够分别独立于所述第一主体和所述第二主体而被可切换地驱动。