[发明专利]位置传感器、光刻设备和用于制造器件的方法有效
| 申请号： | 201780051545.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109643072B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | S·R·休斯曼;S·G·J·马斯杰森;S·A·戈登;D·阿克布鲁特;A·波洛 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻设备中的对准传感器，包括被配置为在第一波段(例如，500‑900nm)和/或第二波段(例如，1500‑2500nm)中选择性地传递、收集和处理辐射的光学系统(500；600)。第一波段和第二波段的辐射在光学系统的至少一些部分中共享公共光学路径(506‑508；606)，而第一波段的辐射由第一处理子系统(552a)处理并且第二波段(552b)的辐射由第二处理子系统处理。在一个示例中，处理子系统包括自参考干涉仪(556a/556b；656a/656b)。第二波段的辐射允许通过诸如碳硬掩模的不透明层(308)来测量标记。每个处理子系统的光学涂层和其他组件可以根据相应的波段进行定制，而不是完全复制光学系统。 | ||
| 搜索关键词： | 位置 传感器 光刻 设备 用于 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种位置传感器，包括光学系统，所述光学系统被配置为：向衬底上的对准标记传递辐射，并且从所述衬底收集经衍射或经散射的辐射，并且处理所收集的辐射以从所收集的辐射导出至少一个位置敏感信号，其中所述光学系统可操作用于在第一波长范围和/或第二波长范围内选择性地传递、收集和处理辐射，其中所述第一波长范围和所述第二波长范围的辐射在所述光学系统的至少一些部分中共享公共光学路径，而所述第一波长范围的所述辐射由第一处理子系统处理，并且所述第二波长范围的所述辐射由第二处理子系统处理。
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