[发明专利]位置传感器、光刻设备和用于制造器件的方法有效
申请号: | 201780051545.7 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109643072B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | S·R·休斯曼;S·G·J·马斯杰森;S·A·戈登;D·阿克布鲁特;A·波洛 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;郭星 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 传感器 光刻 设备 用于 制造 器件 方法 | ||
1.一种位置传感器,包括光学系统,所述光学系统被配置为:
向衬底上的对准标记传递辐射,并且从所述衬底收集经衍射或经散射的辐射,并且
处理所收集的辐射以从所收集的辐射导出至少一个位置敏感信号,
其中所述光学系统可操作用于在第一波长范围和/或第二波长范围内选择性地传递、收集和处理辐射,其中所述第一波长范围和所述第二波长范围的辐射在所述光学系统的至少一些部分中共享公共光学路径,而所述第一波长范围的所述辐射由第一处理子系统处理,并且所述第二波长范围的所述辐射由第二处理子系统处理,其中使用所述第二波长范围的辐射来测量所述对准标记,所述第二波长范围的辐射穿过对所述第一波长范围的辐射不透明的层。
2.根据权利要求1所述的位置传感器,其中所述第一波长范围包括波长短于800nm的辐射,并且所述第二波长范围包括波长长于1000nm的红外辐射。
3.根据权利要求2所述的位置传感器,其中所述第二波长范围包括波长长于1500nm的红外辐射。
4.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器,其中所述光学系统包括照射系统,所述照射系统用于将来自一个或多个辐射源的所述第一波长范围和所述第二波长范围的辐射组合到所述公共光学路径中,并且所述公共光学路径还包括公共物镜,所述公共物镜用于向所述对准标记传递和收集所述第一波长范围和所述第二波长范围的所述辐射,所述公共物镜被包括在所述公共光学路径中。
5.根据权利要求4所述的位置传感器,其中光谱滤波器被提供以分离由所述公共物镜收集的所述第一波长范围和所述第二波长范围的所述辐射,以用于向所述第一处理子系统和所述第二处理子系统传递。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的位置传感器,其中所述光学系统包括用于传递和收集所述第一波长范围的辐射的第一物镜、以及用于传递和收集所述第二波长范围的辐射的第二物镜。
7.根据权利要求6所述的位置传感器,其中所述光学系统包括照射系统,所述照射系统用于将来自多个辐射源的所述第一波长范围和所述第二波长范围的辐射组合到所述公共光学路径中,以用于向所述第一物镜和所述第二物镜传递辐射。
8.根据权利要求6所述的位置传感器,其中光谱滤波器被提供以分离来自所述公共光学路径的所述第一波长范围和所述第二波长范围的所述辐射,以用于向所述第一物镜和所述第二物镜传递。
9.根据权利要求4所述的位置传感器,其中第一半波或四分之一波片被定位在光谱滤波器与第一干涉测量子系统之间的所述第一波长范围的所述辐射的所述路径中,并且第二半波或四分之一波片被定位在所述光谱滤波器与第二干涉测量子系统之间的所述第二波长范围的所述辐射的所述路径中。
10.根据权利要求1至3、5以及7至9中任一项所述的位置传感器,其中通过在所述波长范围中的至少一个波长范围内处理所收集的辐射来获取多个位置敏感信号,每个位置敏感信号使用具有不同特性的辐射而被获取。
11.根据权利要求10所述的位置传感器,其中具有不同特性的所述辐射包括在所述第一波长范围内具有不同波长的辐射。
12.根据权利要求10所述的位置传感器,其中具有不同特性的所述辐射包括在所述第二波长范围内具有不同波长的辐射。
13.一种制造器件的方法,其中器件图案使用光刻工艺而被施加至衬底,所述方法包括:通过参考被形成在所述衬底上的一个或多个标记的所测量的位置来定位所施加的图案,所述所测量的位置使用根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器而被获取。
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