[发明专利]用于对半导体材料的层进行退火的设备、对半导体材料的层进行退火的方法以及平板显示器在审
申请号: | 201780051126.3 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN109643644A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | P·T·路姆斯比;大卫·托马斯·埃德蒙·迈尔斯 | 申请(专利权)人: | 万佳雷射有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/36 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚开丽 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明提供了用于对半导体材料的层,特别是非晶硅或IGZO进行退火的方法和设备。在一种布置中,设备包括产生激光束的激光源。光束扫描装置以选择性地辐射半导体材料的层的多个区域的方式相对于半导体材料的层扫描激光束或由激光束产生的多个子光束并由此产生相应的多个退火的半导体材料的区域,特别是相应的多个多晶硅或退火的IGZO的区域。退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 退火 激光束 光束扫描装置 方法和设备 平板显示器 扫描激光束 区域分隔 多晶硅 激光源 晶硅 辐射 | ||
【主权项】:
1.一种用于对半导体材料的层进行退火的设备,所述设备包括:激光源,所述激光源被配置成产生激光束;以及光束扫描装置,所述光束扫描装置被配置成以选择性地辐射所述半导体材料的层的多个区域的方式相对于所述半导体材料的层扫描所述激光束或从所述激光束产生的多个子光束,并由此通过退火产生相应的多个退火的半导体材料的区域,其中,所述退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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