[发明专利]用于对半导体材料的层进行退火的设备、对半导体材料的层进行退火的方法以及平板显示器在审

专利信息
申请号: 201780051126.3 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN109643644A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: P·T·路姆斯比;大卫·托马斯·埃德蒙·迈尔斯 申请(专利权)人: 万佳雷射有限公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/36
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 徐川;姚开丽
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 发明提供了用于对半导体材料的层,特别是非晶硅或IGZO进行退火的方法和设备。在一种布置中,设备包括产生激光束的激光源。光束扫描装置以选择性地辐射半导体材料的层的多个区域的方式相对于半导体材料的层扫描激光束或由激光束产生的多个子光束并由此产生相应的多个退火的半导体材料的区域,特别是相应的多个多晶硅或退火的IGZO的区域。退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。
搜索关键词: 半导体材料 退火 激光束 光束扫描装置 方法和设备 平板显示器 扫描激光束 区域分隔 多晶硅 激光源 晶硅 辐射
【主权项】:
1.一种用于对半导体材料的层进行退火的设备,所述设备包括:激光源,所述激光源被配置成产生激光束;以及光束扫描装置,所述光束扫描装置被配置成以选择性地辐射所述半导体材料的层的多个区域的方式相对于所述半导体材料的层扫描所述激光束或从所述激光束产生的多个子光束,并由此通过退火产生相应的多个退火的半导体材料的区域,其中,所述退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。
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