[发明专利]用于对半导体材料的层进行退火的设备、对半导体材料的层进行退火的方法以及平板显示器在审

专利信息
申请号: 201780051126.3 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN109643644A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: P·T·路姆斯比;大卫·托马斯·埃德蒙·迈尔斯 申请(专利权)人: 万佳雷射有限公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/36
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 徐川;姚开丽
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 半导体材料 退火 激光束 光束扫描装置 方法和设备 平板显示器 扫描激光束 区域分隔 多晶硅 激光源 晶硅 辐射
【权利要求书】:

1.一种用于对半导体材料的层进行退火的设备,所述设备包括:

激光源,所述激光源被配置成产生激光束;以及

光束扫描装置,所述光束扫描装置被配置成以选择性地辐射所述半导体材料的层的多个区域的方式相对于所述半导体材料的层扫描所述激光束或从所述激光束产生的多个子光束,并由此通过退火产生相应的多个退火的半导体材料的区域,其中,所述退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。

2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述激光束是脉冲激光束,并且所述光束扫描装置被配置成使得以如下方式相对于所述半导体材料的层扫描所述多个子光束中的每个子光束:所述子光束的连续脉冲分别辐射待被辐射的半导体材料的层的多个区域中的不同区域。

3.根据权利要求1或2所述的设备,所述设备被配置成使得所述多个区域中的每一个从至少两个不同的子光束中的每一个接收一个辐射脉冲。

4.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中,所述激光源是脉冲激光源,并且所述设备被配置成使得由所述多个区域中的每一个接收的每脉冲能量对于每个脉冲基本上相同。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的设备,其中,所述激光源是脉冲激光源,并且所述设备被配置成使得由所述多个区域中的每一个接收的每脉冲能量对于由所述区域接收的脉冲中的至少两个基本上不同。

6.根据权利要求5所述的设备,其中,由所述多个区域中的每一个接收的所述每脉冲能量对于由所述区域接收的每个脉冲逐步增加。

7.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中:

所述待被辐射的多个区域包括沿第一方向以第一间距彼此间隔开的至少一组区域;并且

所述多个子光束包括在所述半导体材料的层处在所述第一方向上以所述第一间距彼此间隔开的至少一组子光束。

8.根据权利要求7所述的设备,所述设备被配置成使得所述多个区域中的每一个从所述子光束的组中的至少一组中的子光束中的每一个接收单个辐射脉冲。

9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述子光束的组中的每组中的子光束在所述半导体材料的层处沿所述第一方向彼此对齐。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的设备,其中,在所述子光束相对于所述半导体材料的层的扫描期间,所述光束扫描装置在所述第一方向上移动所述半导体材料的层。

11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述光束扫描装置在所述半导体材料的层的参考系中在待被辐射的所有多个区域上对来自所述子光束的组中的至少一组中的每一个的每个光束点提供光栅扫描。

12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述光栅扫描的长轴垂直于所述半导体材料的层的所述参考系中的所述第一方向。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的设备,其中,所述多个子光束包括多个所述子光束的组,每个组在所述半导体材料的层处在垂直于所述第一方向的方向上以第二间距与每个其他组分隔开,从而形成由所述第一间距和所述第二间距限定的子光束的二维阵列。

14.根据权利要求13所述的设备,其中,所述光束扫描装置在所述半导体材料的层的所述参考系中在所述半导体材料的层上对来自所述子光束的二维阵列的光束点提供光栅扫描。

15.根据权利要求14所述的设备,其中,所述光栅扫描的长轴平行于所述第一方向。

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