[发明专利]异物去除装置有效
申请号: | 201780049515.2 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109564865B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 中村智宣;尾又洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B5/02;B08B7/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种异物去除装置(100),其包括:喷嘴(31),使液体的二氧化碳的加压流膨胀,通过膨胀时的冷却,而在所述流中形成干冰粒子;腔室(29),连接于喷嘴(31),且供固体的二氧化碳粒子流入;狭缝(23),连接于腔室(29),且使干冰粒子朝向基板(13)的表面喷出;及抽吸口(24),与狭缝(23)邻接而配置;并且使喷嘴(31)与腔室(29)的间隔变化来调整自狭缝(23)喷出的干冰粒子的粒子径。由此,一面抑制基板或半导体裸片的损伤,一面去除微小的异物。 | ||
搜索关键词: | 异物 去除 装置 | ||
【主权项】:
1.一种异物去除装置,其包括:喷嘴,使液体的二氧化碳的加压流膨胀,通过膨胀时的冷却,而在该流中形成固体的二氧化碳粒子;腔室,连接于所述喷嘴,且供固体的二氧化碳粒子流入;喷出口,连接于所述腔室,且使固体的二氧化碳粒子朝向平板状构件的表面喷出;以及抽吸口,与所述喷出口邻接而配置,其中使所述喷嘴与所述腔室的间隔变化来调整自所述喷出口喷出的个体的二氧化碳粒子的粒子径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造