[发明专利]异物去除装置

说明书

一种异物去除装置(100)，其包括：喷嘴(31)，使液体的二氧化碳的加压流膨胀，通过膨胀时的冷却，而在所述流中形成干冰粒子；腔室(29)，连接于喷嘴(31)，且供固体的二氧化碳粒子流入；狭缝(23)，连接于腔室(29)，且使干冰粒子朝向基板(13)的表面喷出；及抽吸口(24)，与狭缝(23)邻接而配置；并且使喷嘴(31)与腔室(29)的间隔变化来调整自狭缝(23)喷出的干冰粒子的粒子径。由此，一面抑制基板或半导体裸片的损伤，一面去除微小的异物。

技术领域

本发明是涉及一种异物去除装置，尤其是涉及一种利用固体的二氧化碳粒子来进行异物的去除的异物去除装置的结构。

背景技术

在集成电路(Integrated Circuit，IC)等电子零件的制造工序中，使用下述装置等多个装置：裸片接合(die bonding)装置，将自晶片(wafer)切出的半导体裸片(die)接着于基板；打线接合(wire bonding)装置，利用导线将接合于基板的半导体裸片的电极与基板的电极连接；及倒装芯片(flip chip)接合装置，在半导体裸片的电极上预先形成凸块，使半导体裸片翻转而固定于基板并且将半导体裸片的电极与基板的电极连接。另外，最近也使用在晶片的半导体裸片上层叠接合半导体裸片的接合装置。

在此种接合装置中，将半导体裸片接合于基板的规定位置，或者利用导线将半导体裸片的电极与基板的电极连接。

在此种装置中，若灰尘等异物附着于基板等的表面，则存在接着剂的接着力降低的情况。另外，若灰尘等附着于基板的电极或半导体裸片的电极的表面，则存在电极与导线的接合品质降低的情况。

因此，提出有如下装置：对基板吹送空气而将附着于基板的异物吹飞，并将吹飞的异物抽吸回收而进行异物的去除(例如，参照专利文献1)。

另外，也利用有使用液体的二氧化碳(CO₂)来去除半导体裸片或基板的异物的技术(例如，参照专利文献2)。所述方法是使液体的二氧化碳自喷射喷嘴喷射至基板，使因喷射时的绝热膨胀而冻结并成为干冰的干冰粒子与基板碰撞，从而进行半导体裸片或基板的表面的异物的去除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-199458号公报

专利文献2：日本专利特开2000-117201号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献2所记载的异物去除方法中存在如下问题：若为了去除更微小的异物而强势喷射干冰粒子，则导致干冰粒子的粒子径变大，而无法有效地去除微小的异物。另外，存在如下问题：若干冰的粒子径变大，则因干冰粒子的碰撞而损伤基板或半导体裸片。

因此，本发明的目的在于一面抑制基板或半导体裸片的损伤，一面去除微小的异物。

解决问题的技术手段

本发明的异物去除装置具备：喷嘴，使液体的二氧化碳的加压流膨胀，通过膨胀时的冷却，而在所述流中形成固体的二氧化碳粒子；腔室，连接于喷嘴，且供固体的二氧化碳粒子流入；喷出口，连接于腔室，且使固体的二氧化碳粒子朝向平板状构件的表面喷出；及抽吸口，与喷出口邻接而配置；并且所述异物去除装置通过使喷嘴与腔室的间隔变化而使自所述喷嘴的出口至所述腔室的固体的二氧化碳粒子的飞行距离变化，来调整自喷出口喷出的固体的二氧化碳粒子的粒子径。

在本发明的异物去除装置中，也优选为，包括安装于腔室的外面的加热器，使加热器的加热量变化来调整自喷出口喷出的固体的二氧化碳粒子的粒子径。

在本发明的异物去除装置中，也优选为，所述喷出口是连通于所述腔室且使所述二氧化碳粒子朝向平板状构件的表面呈带状喷出的狭缝。