[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780047373.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109564939B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 松井俊之 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备晶体管部和二极管部，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在半导体基板的内部设置在漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在半导体基板的内部设置在漂移区的下方，半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在半导体基板的内部，设置到比基区靠下方的位置为止，半导体装置在阱区的下方的至少一部分区域，具有单位面积的第二导电型的载流子注入量比集电区小的注入量限制部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备晶体管部和二极管部，所述晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的下方，所述半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在所述半导体基板的内部，设置到比所述基区靠下方的位置为止，所述半导体装置在所述阱区的下方的至少一部分区域具有注入量限制部，所述注入量限制部的单位面积的第二导电型的载流子注入量比所述集电区的单位面积的第二导电型的载流子注入量小。
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