[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备晶体管部和二极管部，

所述晶体管部具有：

第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；

第二导电型的基区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；以及

第二导电型的集电区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的下方，

所述半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在所述半导体基板的内部，设置到比所述基区靠下方的位置为止，

所述半导体装置在所述阱区的下方的至少一部分区域具有注入量限制部，所述注入量限制部的单位面积的第二导电型的载流子注入量比所述集电区的单位面积的第二导电型的载流子注入量小，

所述半导体装置具有与所述晶体管部或所述二极管部邻接的信号焊盘区，

所述信号焊盘区具有：

绝缘膜，形成在所述半导体基板的正面；以及

导电部，形成在所述绝缘膜上，

所述阱区设置在所述导电部的下方，

所述注入量限制部设置在所述晶体管部与所述二极管部与所述信号焊盘区的边界点的下方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部包括绝缘栅双极晶体管，

所述二极管部包括与所述绝缘栅双极晶体管电连接的续流二极管。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入量限制部包括第一导电型的导电层，所述第一导电型的导电层在所述阱区的下方设置在与所述集电区相同的深度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电型的导电层具有比所述漂移区中的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入量限制部包括在所述阱区的下方设置的第二导电型的导电层，

所述第二导电型的导电层具有比所述集电区中的第二导电型的掺杂浓度低的第二导电型的掺杂浓度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部还具备背面电极，所述背面电极设置于所述半导体基板的背面而与所述集电区电连接，

所述注入量限制部包括设置在所述半导体基板与所述背面电极之间的绝缘膜。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区具有比所述基区的第二导电型的掺杂浓度高的第二导电型的掺杂浓度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入量限制部设置在所述阱区的下方整个区域。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入量限制部设置在所述阱区的下方的60％以上的区域。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入量限制部设置在所述阱区的下方的90％以上的区域。