[发明专利]衬底处理装置在审
申请号: | 201780047329.5 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN109564866A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 樋口鲇美 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;唐峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于使衬底处理装置中的金属离子的除去性能迅速恢复。为了实现该目的,衬底处理装置1具备处理部11、供给罐12和回收罐13。在处理部11中,利用来自第1循环路径211的处理液91对衬底9实施蚀刻处理。使用完毕的处理液91被导入回收罐13,在第2循环路径223内循环。第2循环路径223包含第1部分配管223a和第2部分配管223b,在第1部分配管223a的内壁施加有包含将处理液中的金属离子除去的金属捕捉基团的金属除去涂层233。从酸系药液供给部24向第1部分配管223a供给酸系药液92从而使得金属捕捉基团的金属吸附能力再生。 | ||
搜索关键词: | 分配管 衬底处理装置 循环路径 处理液 回收罐 酸系 捕捉 金属离子除去 金属 药液供给部 处理液中 金属除去 金属离子 金属吸附 蚀刻处理 供给罐 内循环 衬底 内壁 施加 再生 恢复 | ||
【主权项】:
1.衬底处理装置,其具备:供给罐,其贮存处理液;处理部,其向衬底供给所述供给罐内的处理液从而进行蚀刻处理;回收路径,其将供于所述蚀刻处理后的处理液导入回收罐;处理液循环路径,其从所述回收罐导出并返回至所述回收罐;和泵,其经由所述处理液循环路径而使所述回收罐内的处理液循环,其中,在作为所述处理液循环路径的至少一部分的配管的内壁施加有涂层,所述涂层包含将所述处理液中的金属离子除去的金属捕捉基团,所述衬底处理装置还具备酸系药液供给部,所述酸系药液供给部向施加有所述涂层的所述配管供给酸系药液从而将金属离子从所述金属捕捉基团除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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