[发明专利]衬底处理装置

说明书

本发明的目的在于使衬底处理装置中的金属离子的除去性能迅速恢复。为了实现该目的，衬底处理装置1具备处理部11、供给罐12和回收罐13。在处理部11中，利用来自第1循环路径211的处理液91对衬底9实施蚀刻处理。使用完毕的处理液91被导入回收罐13，在第2循环路径223内循环。第2循环路径223包含第1部分配管223a和第2部分配管223b，在第1部分配管223a的内壁施加有包含将处理液中的金属离子除去的金属捕捉基团的金属除去涂层233。从酸系药液供给部24向第1部分配管223a供给酸系药液92从而使得金属捕捉基团的金属吸附能力再生。

技术领域

本发明涉及能够从衬底的清洗液中有效地除去金属杂质的衬底处理技术。

背景技术

以往，在半导体衬底、玻璃衬底等各种用途的衬底的处理中，采用了向衬底供给处理液的处理。为了在衬底上形成致密的电路图案，在向衬底供给处理液的流路中设置将粒子除去的过滤器。粒子除去过滤器定期地进行更换或再生。

例如，专利文献1中公开了一种衬底处理装置，其具备用于将金属杂质从半导体衬底的处理液中有效地除去的过滤器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-8223号公报

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1的衬底处理装置具备用于除去金属杂质的过滤器。对于过滤器而言，虽然可通过流通清洗液而使由经时变化导致的过滤器性能的劣化得以恢复，但并未采取用于缩短该恢复作业的特别对策。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供一种能够使金属离子的除去性能迅速恢复的衬底处理装置。

用于解决课题的手段

第1方式涉及的发明为衬底处理装置，其具备：供给罐，其贮存处理液；处理部，其向衬底供给所述供给罐内的处理液从而进行蚀刻处理；回收路径，其将供于所述蚀刻处理后的处理液导入回收罐；处理液循环路径，其从所述回收罐导出并返回至所述回收罐；和泵，其经由所述处理液循环路径而使所述回收罐内的处理液循环，其中，在作为所述处理液循环路径的至少一部分的配管的内壁施加有涂层，所述涂层包含将所述处理液中的金属离子除去的金属捕捉基团，所述衬底处理装置还具备酸系药液供给部，所述酸系药液供给部向施加有所述涂层的所述配管供给酸系药液从而将金属离子从所述金属捕捉基团除去。

根据第1方式涉及的衬底处理装置，在作为处理液循环路径的至少一部分的配管的内壁具备包含将处理液中的金属离子除去的金属捕捉基团的涂层。因此，酸系药液供给部能够以高流速向配管内部供给酸系药液，能够提高液体更换效率。因此，能够将金属离子从金属捕捉基团除去从而使金属捕捉基团的金属离子除去性能迅速恢复。

第2方式涉及的发明为第1方式涉及的衬底处理装置，其中，在所述处理液循环路径上介设有金属浓度计，所述衬底处理装置还具备控制部，对于所述酸系药液供给部而言，在所述金属浓度计所检测的处理液中的金属离子浓度满足预先设定的条件的情况下，所述控制部使所述酸系药液供给部实施酸系药液向所述配管内部的供给。

第3方式涉及的发明为第2方式涉及的衬底处理装置，其中，所述金属浓度计包含光谱仪、折光仪及电导率仪中的至少一者。

第4方式涉及的发明为第1至第3中的任一方式涉及的衬底处理装置，其中，所述金属捕捉基团包含含有螯合性取代基或离子交换基团或者这两者的材料。

第5方式涉及的发明为第1至第4中的任一方式涉及的衬底处理装置，其中，在所述处理液循环路径之中，在所述涂层的下游侧还具备粒子除去过滤器。

根据第5方式涉及的衬底处理装置，能够防止粒子向涂层的更下游流动。