[发明专利]扫描天线及扫描天线的制造方法有效
申请号: | 201780046554.7 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN109478727B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 水崎真伸;高桥纯平;土屋博司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01Q21/06 | 分类号: | H01Q21/06;G02F1/1333;G02F1/1337;G02F1/1343;G02F1/1368;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22;C08G73/10;G02F1/13;G02F1/133 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 扫描天线所具有的液晶面板(100A)具有:TFT基板(101A),其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支承的TFT、栅极总线、源极总线、贴片电极(15)、以及覆盖贴片电极的第一取向膜(16A);缝隙基板(201A),其具有第二电介质基板(51)、形成在第二电介质基板(51)的第一主面上并具有与贴片电极对应配置的缝隙(57)的缝隙电极(55)、以及覆盖缝隙电极(55)的第二取向膜(56A);以及液晶层(LC),其设置在TFT基板(101A)与缝隙基板(201A)之间,包含具有异硫氰酸酯基的液晶分子。第一取向膜(16A)及第二取向膜(56A)分别独立地由聚酰亚胺系取向膜材料形成,在第一取向膜(16A)及第二取向膜(56A)的每一个中,与液晶层(LC)接触的膜表面的羧基的密度低于膜内部。 | ||
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【主权项】:
1.一种扫描天线,其排列有多个天线单位,其特征在于,具有:TFT基板,其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、多个栅极总线、多个源极总线、多个贴片电极、以及覆盖所述多个贴片电极的第一取向膜;缝隙基板,其具有第二电介质基板、形成在所述第二电介质基板的第一主面上并具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙的缝隙电极、以及覆盖所述缝隙电极的第二取向膜;液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间,包含具有异硫氰酸酯基的液晶分子;以及反射导电板,其配置成隔着电介质层与所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面对置,所述第一取向膜及所述第二取向膜分别独立地由聚酰亚胺系取向膜材料形成,在所述第一取向膜及所述第二取向膜的每一个中,与所述液晶层接触的膜表面的羧基的密度低于膜内部。
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