[发明专利]扫描天线及扫描天线的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780046554.7 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN109478727B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 水崎真伸;高桥纯平;土屋博司 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01Q21/06 分类号: H01Q21/06;G02F1/1333;G02F1/1337;G02F1/1343;G02F1/1368;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22;C08G73/10;G02F1/13;G02F1/133
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 扫描 天线 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种扫描天线,其排列有多个天线单位,其特征在于,具有:

TFT基板,其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、多个栅极总线、多个源极总线、多个贴片电极、以及覆盖所述多个贴片电极的第一取向膜;

缝隙基板,其具有第二电介质基板、形成在所述第二电介质基板的第一主面上并具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙的缝隙电极、以及覆盖所述缝隙电极的第二取向膜;

液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间,包含具有异硫氰酸酯基的液晶分子;以及

反射导电板,其配置成隔着电介质层与所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面对置,

所述天线单位由所述贴片电极、包括所述缝隙的所述缝隙电极的一部分、以及在它们之间的所述液晶层构成,

所述第一取向膜及所述第二取向膜分别独立地由聚酰亚胺系取向膜材料形成,在所述第一取向膜及所述第二取向膜的每一个中,与所述液晶层接触的膜表面的羧基的密度低于膜内部。

2.根据权利要求1所述的扫描天线,其特征在于,

所述第一取向膜及所述第二取向膜的同所述液晶层接触的表面的一侧与接近所述第一电介质基板或所述第二电介质基板的表面的一侧相比酰亚胺化率高。

3.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,

所述第一取向膜及所述第二取向膜中的至少一方在与所述液晶层接触的表面具有固化的树脂层。

4.根据权利要求3所述的扫描天线,其特征在于,

所述树脂层包含二丙烯酸酯的热固化物。

5.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,

所述第一取向膜及所述第二取向膜中的至少一方包含硅烷偶联剂。

6.根据权利要求5所述的扫描天线,其特征在于,

所述硅烷偶联剂包含从由三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、及三氯氢硅构成的组中选择的一种。

7.一种扫描天线的制造方法,其是权利要求1~6中的任一项所述的扫描天线的制造方法,其特征在于,包含:

在所述第一电介质基板上形成所述多个TFT、所述多个栅极总线、所述多个源极总线和所述多个贴片电极,并形成覆盖所述多个贴片电极的所述第一取向膜的工序;

在所述第二电介质基板的所述第一主面上形成所述缝隙电极,并形成覆盖所述缝隙电极的所述第二取向膜的工序;

在所述第二电介质基板的所述第一主面的相反侧的所述第二主面上,以隔着所述电介质层相对的方式配置所述反射导电板的工序;

准备聚酰胺酸与聚酰亚胺的质量比为25:75以上且75:25以下的取向膜材料作为所述聚酰亚胺系取向膜材料的工序;和

对所述TFT基板及所述缝隙基板的表面赋予所述聚酰亚胺系取向膜材料的工序。

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