[发明专利]包含用于无空隙亚微米结构填充的添加剂的钴镀覆用组合物有效
| 申请号： | 201780041546.3 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109477234B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | M·P·基恩勒;D·梅尔;M·阿诺德;A·弗鲁格尔;C·埃姆内特 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/16;C25D3/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘娜;刘金辉 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种组合物，其包含：(a)钴离子，和(b)式I添加剂，其中R |
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| 搜索关键词： | 包含 用于 空隙 微米 结构 填充 添加剂 镀覆 组合 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其包含：(a)钴离子，和(b)式I添加剂：![]()
其中R1选自X‑Y；R2选自R1及R3；X选自直链或支链C1至C10烷二基、直链或支链C2至C10烯二基、直链或支链C2至C10炔二基及(C2H3R6‑O)m‑H；Y选自OR3、NR3R4、N+R3R4R5及NH‑(C＝O)‑R3；R3、R4、R5为相同或不同的且选自(i)H，(ii)C5至C20芳基，(iii)C1至C10烷基，(iv)C6至C20芳基烷基，(v)C6至C20烷基芳基，其可经OH、SO3H、COOH或其组合取代，及(vi)(C2H3R6‑O)n‑H，且其中R3及R4可以一起形成环体系，其可以被O或NR7间隔；m、n为独立地选自1至30的整数；R6选自H及C1至C5烷基；R7选自R6及![]()
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