[发明专利]包含用于无空隙亚微米结构填充的添加剂的钴镀覆用组合物

权利要求书

1.式I化合物的用途：

用于将钴沉积在半导体基材上，该基材包含具有开口尺寸小于100nm的凹陷结构，

其中

R¹选自X-Y；

R²选自R¹、X-OR³及R³；

X选自直链或支链C₁至C₁₀烷二基、直链或支链C₂至C₁₀炔二基及(C₂H₃R⁶-O)_m-；

Y选自NR³R⁴及N⁺R³R⁴R⁵；

R³、R⁴、R⁵为相同或不同的且选自(i)H，(iii)C₁至C₁₀烷基，其可经OH取代，及(vi)(C₂H₃R⁶-O)_n-H，且其中R³及R⁴可以一起形成环体系，其可以被O或NR⁷间隔；

m、n为独立地选自1至30的整数；

R⁶选自H及C₁至C₅烷基；

R⁷选自R⁶及

2.根据权利要求1的用途，其中该基材包含具有开口尺寸小于50nm的凹陷结构。

3.根据权利要求1的用途，其中X选自C₁至C₆烷二基。

4.根据权利要求3的用途，其中X选自甲烷二基。

5.根据权利要求3的用途，其中X选自1,1-乙烷二基或1,2-乙烷二基。

6.根据权利要求3的用途，其中X选自丙烷-1,1-二基、丁烷-1,1-二基、戊烷-1,1-二基、己烷-1,1-二基、丙烷-2-2-二基、丁烷-2,2-二基、戊烷-2,2-二基及己烷-2,2-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,2-二基、戊烷-1,2-二基、己烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、戊烷-1,3-二基及己烷-1,3-二基。

7.根据权利要求1的用途，其中R²为H。

8.根据权利要求2的用途，其中R²为H。

9.根据权利要求3的用途，其中R²为H。

10.根据权利要求4的用途，其中R²为H。

11.根据权利要求5的用途，其中R²为H。

12.根据权利要求6的用途，其中R²为H。

13.根据权利要求1至12中任一项的用途，其中R²为X-OR³且R³为H。

14.根据权利要求1至12中任一项的用途，其中R²为X-OR³且R³选自式(C₂H₃R⁶-O)_n-H的聚氧亚烷基团。