[发明专利]用于电荷平衡JBS二极管的有源区设计在审
| 申请号： | 201780040563.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109643736A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | R·甘地;A·V·波洛尼科夫;P·A·洛西;D·A·利林费尔德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电荷平衡(CB)二极管可包括一个或多个CB层。每个CB层可包括具有第一导电类型的外延层以及具有第二导电类型的多个埋入区。此外，CB二极管可包括具有第一导电类型的上外延层，上外延层邻近一个或多个CB层的最上面的CB层设置。上外延层还可包括具有第二导电类型的多个结势垒(JBS)注入区。此外，CB二极管可包括邻近上外延层和多个JBS注入区设置的肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 二极管 第一导电类型 导电类型 电荷平衡 注入区 邻近 肖特基接触 结势垒 埋入区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种电荷平衡(CB)二极管，包括：有源区，其包括：一个或多个电荷平衡(CB)层，其中，每个CB层包括：具有第一导电类型的外延层；以及在所述外延层中注入的具有第二导电类型的多个埋入区，其中，所述多个埋入区和所述外延层均被配置成基本上耗尽，以在反向偏置施加至所述CB二极管时提供来自离子化掺杂剂的基本上等量的电荷；以及具有所述第一导电类型的上外延层，其中，所述上外延层邻近所述一个或多个CB层的最上面的CB层设置，并且其中，所述上外延层包括具有所述第二导电类型的多个结势垒肖特基(JBS)注入区；以及邻近所述上外延层设置以形成肖特基结的肖特基接触，其中，所述肖特基接触由金属或多晶硅形成，并且其中，所述肖特基接触邻近所述多个JBS注入区设置。
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