[发明专利]半导体芯片及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780040556.5 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN109417060B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 杉浦和彦;岩重朝仁;河合润 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/36;H01L23/40;H01L23/58;H01L23/62;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 吕文卓
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置,具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部(19、24)与接合部件(5~7)电连接,经由接合部件(5~7)而在半导体芯片(2)中流过电流,该半导体装置具备半导体芯片(2)和与电极部(19、24)电连接的接合部件(5~7),接合部件(5~7)包含保护材料而构成,该保护材料,其电阻率的温度系数为正,在将比所述半导体芯片(2)被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时,比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。
搜索关键词: 半导体 芯片 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其中,具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部与接合部件(5~7)电连接,电流经由所述接合部件而流过所述半导体芯片,该半导体装置的特征在于,具备所述半导体芯片、以及与所述电极部电连接的所述接合部件,所述接合部件包含保护材料而构成,该保护材料,其电阻率的温度系数为正,在将比所述半导体芯片被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时,比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。
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