[发明专利]半导体芯片及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部与接合部件(5～7)电连接，电流经由所述接合部件而流过所述半导体芯片，该半导体装置的特征在于，

具备所述半导体芯片、以及与所述电极部电连接的所述接合部件，

所述接合部件包含保护材料而构成，该保护材料，其电阻率的温度系数为正，在将比所述半导体芯片被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时，比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数，

所述接合部件构成为，包含所述保护材料，并且包含与所述保护材料相比电阻率低的基础材料，

所述接合部件构成为，具有由所述保护材料构成的保护层(30b)和由所述基础材料构成的基础层(30a)，

所述接合部件层叠所述保护层和所述基础层而构成，

在所述保护层与所述基础层的层叠方向上，所述接合部件的所述基础层相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述接合部件构成为，在所述半导体芯片的平面方向上，所述保护层和所述基础层被分割而配置。

3.一种半导体装置，其中，具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部与接合部件(5～7)电连接，电流经由所述接合部件而流过所述半导体芯片，该半导体装置的特征在于，

具备所述半导体芯片、以及与所述电极部电连接的所述接合部件，

所述接合部件包含保护材料而构成，该保护材料，其电阻率的温度系数为正，在将比所述半导体芯片被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时，比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数，

所述接合部件构成为，包含所述保护材料，并且包含与所述保护材料相比电阻率低的基础材料，

所述接合部件构成为，具有由所述保护材料构成的保护层(30b)和由所述基础材料构成的基础层(30a)，

所述接合部件构成为，在所述半导体芯片的平面方向上，所述保护层和所述基础层被分割而配置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述接合部件层叠所述保护层和所述基础层而构成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述基础材料是银，

所述保护材料是金属氧化物。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有第一散热部件(1)和夹着所述半导体芯片而配置在所述第一散热部件的相反侧的第二散热部件(4)，

所述半导体芯片，在所述第一散热部件侧形成有作为所述电极部的第一电极(24)，并且在所述第二散热部件侧形成有作为所述电极部的第二电极(19)，

所述接合部件配置在所述第一散热部件与所述第一电极之间而将所述第一散热部件与所述第一电极电连接，并且配置在所述第二散热部件与所述第二电极之间而将所述第二散热部件与所述第二电极电连接。

7.一种半导体芯片，具有电极部(17、19、20、21、24)并且形成有半导体元件，其特征在于，

所述电极部包含保护材料而构成，该保护材料，其电阻率的温度系数为正，在将比所述半导体元件被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时，比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数，

所述电极部构成为，包含所述保护材料并且包含与所述保护材料相比电阻率低的基础材料，

所述电极部构成为，具有由所述保护材料构成的保护层(30b)和由所述基础材料构成的基础层(30a)，

所述电极部层叠所述保护层和所述基础层而构成，

在所述保护层与所述基础层的层叠方向上，所述电极部的所述基础层相连接。