[发明专利]半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统有效
| 申请号： | 201780039851.9 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109417276B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 中谷东吾;冈口贵大;池户教夫;横山毅;薮下智仁;高山彻;高须贺祥一 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 模块 焊接 激光器 光源 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，具备：第1导电侧的第1半导体层；与所述第1半导体层相比带隙能量大的所述第1导电侧的第2半导体层；活性层；与所述第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层；和与所述第3半导体层相比带隙能量小的所述第2导电侧的第4半导体层，在将所述第2半导体层的带隙能量的最大值设为Eg2，将所述第3半导体层的带隙能量的最大值设为Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，所述第3半导体层具有带隙能量朝向所述第4半导体层单调减少的第1区域层，在将所述第2半导体层的杂质浓度设为N2，将所述第3半导体层的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
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