[发明专利]半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，具备：n侧的第1半导体层；与所述第1半导体层相比带隙能量大的所述n侧的第2半导体层；活性层；p侧的第3半导体层；与所述第3半导体层相比带隙能量小的所述p侧的第4半导体层；n型包覆层；和p型包覆层，

在将所述第2半导体层的带隙能量的最大值设为Eg2，将所述第3半导体层的带隙能量的最大值设为Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，

所述第3半导体层具有带隙能量朝向所述第4半导体层单调减少的第1区域层，

在将所述第2半导体层的杂质浓度设为N2，将所述第3半导体层的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式，

所述第1半导体层、所述第2半导体层、所述第3半导体层以及所述第4半导体层配置在所述n型包覆层与所述p型包覆层之间，

所述n型包覆层配置在所述第1半导体层侧，

所述p型包覆层配置在所述第4半导体层侧，

在将所述第1半导体层的带隙能量的最大值设为Eg1，将所述第4半导体层的带隙能量的最大值设为Eg4时，满足Eg1＜Eg4的关系式，

所述第1半导体层为第1波导层，

所述第4半导体层为第2波导层，

在所述活性层中产生光，

所述光的强度的中心位置相对所述活性层位于所述第1半导体层侧，

在将所述第1半导体层的杂质浓度设为N1，将所述第4半导体层的杂质浓度设为N4时，满足N2-N1≥N3-N4的关系式。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，

所述第3半导体层的带隙能量的最小值比Eg2大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第3半导体层的膜厚比所述第2半导体层的膜厚厚。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第3半导体层在所述第1区域层与所述活性层之间具有带隙能量朝向所述第1区域层单调增加的第2区域层。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其中，

所述第1区域层和所述第2区域层的带隙能量的最大值相等。

6.根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其中，

所述第2区域层具有20纳米以上的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第1区域层具有20纳米以上的厚度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第3半导体层包括间接跃迁型半导体层。

9.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第3半导体层是含Al的III-V族化合物半导体，在所述第1区域层中Al发生组分倾斜。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器装置，其中，

所述第1区域层为AlGaAs系结晶或者AlGaInP系结晶。

11.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第1区域层包括直接跃迁型半导体层。

12.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

所述第2半导体层的杂质浓度N2为7×10¹⁷cm^-3以下。

13.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其中，

在将所述第1半导体层的带隙能量的最大值设为Eg1，将所述第1区域层中的所述第4半导体层侧的带隙能量设为Eg3min时，满足Eg1≤Eg3min的关系式。