[发明专利]铜-陶瓷接合体及绝缘电路基板有效
| 申请号： | 201780039786.X | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109417056B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的铜‑陶瓷接合体中，在铜部件与陶瓷部件的接合界面，从陶瓷部件侧依次形成有包含选自Ti、Nb、Hf、Zr中的一种或两种以上的氮化物形成元素的氮化物层和Ag‑Cu共晶层，氮化物层的厚度为0.15μm以上且1.0μm以下，在铜部件与陶瓷部件之间存在由包含氮化物形成元素和Si的金属间化合物形成的金属间化合物相，在氮化物层的晶界中存在Cu及Si。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 接合 绝缘 路基 | ||
【主权项】：
1.一种铜‑陶瓷接合体，其通过由铜或铜合金形成的铜部件和由氮化硅形成的陶瓷部件接合而成，所述铜‑陶瓷接合体的特征在于，在所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面，从所述陶瓷部件侧依次形成有包含选自Ti、Nb、Hf、Zr中的一种或两种以上的氮化物形成元素的氮化物层和Ag‑Cu共晶层，所述氮化物层的厚度为0.15μm以上且1.0μm以下，在所述铜部件与所述陶瓷部件之间存在由包含所述氮化物形成元素和Si的金属间化合物形成的金属间化合物相，在所述氮化物层的晶界中存在Cu及Si。
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