[发明专利]铜-陶瓷接合体及绝缘电路基板有效
| 申请号： | 201780039786.X | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109417056B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 接合 绝缘 路基 | ||
1.一种铜-陶瓷接合体，其通过由铜或铜合金形成的铜部件和由氮化硅形成的陶瓷部件接合而成，所述铜-陶瓷接合体的特征在于，
在所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面，从所述陶瓷部件侧依次形成有包含选自Ti、Nb、Hf、Zr中的一种或两种以上的氮化物形成元素的氮化物层和Ag-Cu共晶层，
所述氮化物层的厚度为0.47μm以上且0.89μm以下，
在所述铜部件与所述陶瓷部件之间存在由包含所述氮化物形成元素和Si的金属间化合物形成的金属间化合物相，
在所述氮化物层的晶界中存在Cu及Si。
2.根据权利要求1所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，
在所述氮化物层的内部分散有Ag粒子。
3.根据权利要求2所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，
分散于所述氮化物层的内部的所述Ag粒子的粒径设为10nm以上且100nm以下的范围内。
4.根据权利要求2或3所述的铜-陶瓷接合体，其特征在于，
在所述氮化物层中，从所述陶瓷部件侧的界面至总厚度的25％位置为止的区域中的Ag的平均浓度C1与从所述铜部件侧的界面至总厚度的25％位置为止的区域中的Ag的平均浓度C2之间的比C2/C1为0.8以下。
5.一种绝缘电路基板，其为在由氮化硅形成的陶瓷基板的表面形成有由铜或铜合金形成的铜层的绝缘电路基板，所述绝缘电路基板的特征在于，
所述绝缘电路基板由权利要求1至4中任一项所述的铜-陶瓷接合体构成。
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