[发明专利]3D集成光学传感器和制造3D集成光学传感器的方法有效
| 申请号: | 201780038790.4 | 申请日: | 2017-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN109314125B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 休伯特·叶尼切尔迈尔;马丁·施雷姆斯;格雷戈尔·托施科夫;托马斯·博德纳;马里奥·曼宁格 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
| 地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种3D集成光学传感器包括半导体衬底、集成电路、布线、滤光器层、透明间隔物层和片上漫射器。半导体衬底具有主表面。集成电路包括至少一个光敏区域并且布置在衬底中主表面处或其附近。布线提供到集成电路的电连接并且连接到该集成电路。布线布置在半导体衬底上或半导体衬底中。滤光器层具有依赖于方向的透射特性并且布置在集成电路上。实际上,滤光器层至少覆盖光敏区域。透明间隔物层布置在主表面上,并且至少部分地包围滤光器层。间隔物厚度设置成限制滤光器层的光谱移动。片上漫射器布置在透明间隔物层上。 | ||
| 搜索关键词: | 集成 光学 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种3D集成光学传感器,包括:‑半导体衬底(100),其具有主表面(110),‑集成电路(200),其包括至少一个光敏区域(210),该集成电路(200)布置在衬底(100)中主表面(110)处或主表面(110)附近,‑布线(300),其用于提供到集成电路(200)的电连接,该布线(300)布置在半导体衬底(100)上或半导体衬底(100)中,并且连接到集成电路(200),‑滤光器层(400),其具有依赖于方向的透射特性,布置在集成电路(200)上,其中,滤光器层(400)至少覆盖光敏区域(210),‑透明间隔物层(500),其布置在主表面(110)上并且至少部分地包围滤光器层(400),其中,间隔物厚度被布置成限制滤光器层(400)的光谱移动,和‑片上漫射器(600),其布置在透明间隔物层(500)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





