[发明专利]3D集成光学传感器和制造3D集成光学传感器的方法有效
| 申请号: | 201780038790.4 | 申请日: | 2017-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN109314125B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 休伯特·叶尼切尔迈尔;马丁·施雷姆斯;格雷戈尔·托施科夫;托马斯·博德纳;马里奥·曼宁格 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
| 地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 光学 传感器 制造 方法 | ||
1.一种3D集成光学传感器,包括:
-半导体衬底(100),其具有主表面(110),
-集成电路(200),其包括至少一个光敏区域(210),该集成电路(200)布置在衬底(100)中主表面(110)处或主表面(110)附近,
-布线(300),其用于提供到集成电路(200)的电连接,该布线(300)布置在半导体衬底(100)上或半导体衬底(100)中,并且连接到集成电路(200),
-滤光器层(400),其具有依赖于方向的透射特性,布置在集成电路(200)上,其中,滤光器层(400)至少覆盖光敏区域(210),
-透明间隔物层(500),其布置在主表面(110)上并且至少部分地包围滤光器层(400),其中,间隔物厚度被布置成将滤光器层(400)的光谱移动限制到预定的最大值,使得所述光谱移动在小于±30°的区间的入射角下保持恒定或在±5nm内,和
-片上漫射器(600),其布置在透明间隔物层(500)上。
2.根据权利要求1所述的3D集成光学传感器,其中,间隔物厚度小于片上漫射器(600)的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,透明间隔物层(500)直接布置在滤光器层(400)上。
4.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,透明间隔物层(500)在大于主表面(110)的50%的区域之上以所述光敏区域为中心延伸。
5.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,
-透明间隔物层(500)包括透明的硅树脂或环氧树脂材料,和/或
-片上漫射器(600)包括与透明间隔物层(500)相同的材料,并添加了光散射颗粒。
6.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,滤光器层(400)在大于主表面(110)的50%的区域之上延伸。
7.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,滤光器层(400)在与透明间隔物层(500)相同的区域之上延伸。
8.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,
-滤光器层(400)至少部分地框以光阻挡结构(410),
-光阻挡结构(410)布置在主表面(110)的边缘区域。
9.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,所述滤光器层(400)包括干涉滤光器和/或等离子体滤光器。
10.根据权利要求1或2所述的3D集成光学传感器,其中,光圈阵列(520)布置在滤光器层(400)的上方或下方。
11.根据权利要求10所述的3D集成光学传感器,其中,所述光圈阵列包括金属层的堆叠,所述堆叠包括:
-上部不透明层,其背离光敏区域(210)并且具有第一光圈(AM1),
-下部不透明层,其面向光敏区域(210)并且具有第二光圈(AM2),其中每个第一和第二光圈(AM1、AM2)分别限制光圈阵列(520)中的光路,
-上部和下部基部(M1、M2)由金属制成,并且
-光路被设计成当入射光具有来自允许的角度区间的入射角时,允许该入射光入射到光敏区域(210),所述允许的角度区间(INT)由第一和第二光圈(AM1、AM2)的尺寸确定并且分别相对于光路的光轴(OA)限定。
12.根据权利要求10所述的3D集成光学传感器,其中,光圈阵列包括在滤光器层上方的设置有透明光圈区部的阵列的光圈层,每个光圈区部(18)穿入光圈层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





