[发明专利]用于支承架的基板支承元件在审
| 申请号： | 201780037573.3 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN109314073A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | T·皮埃拉;L·冯里韦尔 | 申请（专利权）人： | 贺利氏特种光源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 金林辉;吴鹏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于供热处理基板用的支承架的已知基板支承元件具有用于基板的支撑表面。在此基础上，为设计容许尽可能均匀地加热基板的基板支承元件，本发明提出，该基板支承元件是包含第一复合组分及第二复合组分的复合体，其中该第一复合组分具有在0.5W/(m·K)至40W/(m·K)范围内的导热率且该第二复合组分具有在70W/(m·K)至450W/(m·K)范围内的导热率。 | ||
| 搜索关键词： | 基板支承 复合 导热率 支承架 处理基板 加热基板 支撑表面 复合体 基板 供热 | ||
【主权项】：
1.一种用于对基板(300)进行热处理的支承架(100)的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，所述基板支承元件具有用于基板(300)的支撑表面(108；503；523；543；563；601)，其特征在于，所述基板支承元件(101；500；520；540；560；600)是包含第一复合组分和第二复合组分的复合体，其中，该第一复合组分具有在0.5W/(m·K)至40W/(m·K)范围内的导热率，而该第二复合组分具有在70W/(m·K)至450W/(m·K)范围内的导热率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
