[发明专利]用于支承架的基板支承元件在审
| 申请号： | 201780037573.3 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN109314073A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | T·皮埃拉;L·冯里韦尔 | 申请（专利权）人： | 贺利氏特种光源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 金林辉;吴鹏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板支承 复合 导热率 支承架 处理基板 加热基板 支撑表面 复合体 基板 供热 | ||
1.一种用于对基板(300)进行热处理的支承架(100)的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，所述基板支承元件具有用于基板(300)的支撑表面(108；503；523；543；563；601)，其特征在于，所述基板支承元件(101；500；520；540；560；600)是包含第一复合组分和第二复合组分的复合体，其中，该第一复合组分具有在0.5W/(m·K)至40W/(m·K)范围内的导热率，而该第二复合组分具有在70W/(m·K)至450W/(m·K)范围内的导热率。
2.如权利要求1所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，支撑表面(108；503；523；543；563；601)由第二复合组分制成，由第一复合组分制成的边缘区域毗邻该支撑表面(108；503；523；543；563；601)。
3.如权利要求1所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，支撑表面(108；503；523；543；563；601)包含第一复合组分和第二复合组分。
4.如前述权利要求中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，第一复合组分在20℃下具有至少0.7kJ/(kg·K)的比热容，优选地在20℃下具有在0.7kJ/(kg·K)至1.0kJ/(kg·K)范围内的比热容。
5.如前述权利要求中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，第一复合组分的质量与第二复合组分的质量彼此协调成，使得第一复合组分的热容量大于第二复合组分的热容量。
6.如前述权利要求1或3至5中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，支撑表面(108；503；523；543；563；601)包括包含该第一复合组分的第一区(I,III)和包含该第二复合组分的第二区(II,IIa,IIb)。
7.如权利要求6所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，第一区(I,III)具有形状为椭圆形的区段。
8.如前述权利要求中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，第一复合组分是碳、碳化硅或黑化氧化锆。
9.如前述权利要求中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，第二复合组分含有金属，优选为铝或其合金。
10.如前述权利要求中任一项所述的基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其特征在于，所述基板支承元件可在用于热处理半导体片(206a,206b)的支承架(100)中使用。
11.一种用于热处理基板(300)的支承架(100)，该支承架具有如前述权利要求1至10中任一项所述的第一基板支承元件(101；500；520；540；560；600)和如前述权利要求1至10中任一项所述的第二基板支承元件(101；500；520；540；560；600)，其中，第一基板支承元件和第二基板支承元件(101；500；520；540；560；600)布置成，使得第一基板支承元件和第二基板支承元件的用于基板(300)的各个支撑表面(108；503；523；543；563；601)相对于彼此平行延伸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
