[发明专利]高密度像素化的LED和器件及其方法在审
申请号: | 201780036322.3 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN109643724A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 约翰·埃德蒙;马修·多诺弗里奥;杰西·雷赫策;彼得·斯科特·安德鲁斯;约瑟夫·G·克拉克;凯文·哈贝雷恩 | 申请(专利权)人: | 克利公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/58;H01L33/62 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;田喜庆 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 至少一个LED阵列(例如,具有倒装芯片配置)由具有覆盖有至少一种发光材料的光提取表面的基板支撑。与LED之间的间隙对准的光分离元件被配置成减少不同LED和/或发光材料区域的光发射之间的相互作用,以减少散射和/或光学串扰,从而保持所得发射的像素状分辨率。可以通过机械锯切或蚀刻,以在基板中限定凹槽或凹部,并且用光反射或光吸收材料填充凹槽或凹部,来形成光分离元件。可以通过光刻图案化和蚀刻牺牲材料和/或通过3D打印,来限定基板外部的光分离元件。 | ||
搜索关键词: | 光分离元件 凹部 基板 蚀刻 倒装芯片配置 发光材料区域 蚀刻牺牲材料 高密度像素 光提取表面 光吸收材料 发光材料 光刻图案 光学串扰 基板支撑 间隙对准 光发射 光反射 机械锯 散射 分辨率 像素 填充 打印 发射 外部 覆盖 配置 | ||
【主权项】:
1.一种多LED芯片,包括:LED阵列,由基板支撑并被布置成通过所述基板的多个透光区域传输LED发射;至少一种发光材料,布置在所述基板的光提取表面上或上方,其中,所述至少一种发光材料被配置成接收所述LED发射的至少一部分并响应性地产生发光体发射,并且其中,所述至少一种发光材料包括基本上与所述多个透光区域对准的多个光输出区域;以及多个光分离元件,至少部分地布置在所述基板内,其中,所述多个光分离元件中的光分离元件布置在所述多个透光区域中的不同透光区域之间,并且所述多个光分离元件被配置成减少所述不同透光区域之间的所述LED发射的通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的