[发明专利]高密度像素化的LED和器件及其方法

权利要求书

1.一种多LED芯片，包括：

LED阵列，由基板支撑并被布置成通过所述基板的多个透光区域传输LED发射；

至少一种发光材料，布置在所述基板的光提取表面上或上方，其中，所述至少一种发光材料被配置成接收所述LED发射的至少一部分并响应性地产生发光体发射，并且其中，所述至少一种发光材料包括基本上与所述多个透光区域对准的多个光输出区域；以及

多个光分离元件，至少部分地布置在所述基板内，其中，所述多个光分离元件中的光分离元件布置在所述多个透光区域中的不同透光区域之间，并且所述多个光分离元件被配置成减少所述不同透光区域之间的所述LED发射的通过。

2.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述多个光分离元件从所述光提取表面延伸到所述基板的内部。

3.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中：

所述基板包括与所述光提取表面相对的光入射表面；并且

所述多个光分离元件从所述光入射表面延伸到所述基板的内部。

4.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中：

所述基板包括与所述光提取表面相对的光入射表面；

所述多个光分离元件中的第一组光分离元件从所述光入射表面延伸到所述基板的内部；并且

所述多个光分离元件中的第二组光分离元件从所述光提取表面延伸到所述基板的内部。

5.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述多个光分离元件包括从所述基板的内部延伸到所述光提取表面的里部，并且包括延伸超出所述光提取表面的外部。

6.根据权利要求5所述的多LED芯片，还包括由所述光提取表面和所述多个光分离元件的外部界定的多个光提取凹部，其中，所述至少一种发光材料至少部分地布置在所述多个光提取凹部内。

7.根据权利要求6所述的多LED芯片，其中，所述外部相对于所述里部是不连续的。

8.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述光提取表面限定了多个光提取凹部，并且所述至少一种发光材料至少部分地布置在所述多个光提取凹部内。

9.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述至少一种发光材料包括对应于所述多个光输出区域中的第一光输出区域的第一发光材料以及对应于所述多个光输出区域中的第二光输出区域的第二发光材料。

10.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述多个光分离元件包括光反射材料。

11.根据权利要求1所述的多LED芯片，其中，所述多个光分离元件与所述LED阵列中的至少一些LED之间的边界对准。

12.根据权利要求1所述的多LED芯片，还包括布置在所述至少一种发光材料上的多个微透镜，其中，所述多个微透镜中的每个微透镜布置在所述多个光输出区域的不同光输出区域上。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的多LED芯片，其中，所述基板包括生长基板，所述LED阵列的有源层在所述生长基板上生长。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的多LED芯片，其中，所述基板包括与生长基板不同的载体基板，在所述生长基板上生长所述LED阵列的有源层。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的多LED芯片，其中，所述LED阵列中的每个LED具有倒装芯片配置。

16.根据权利要求1至12中任一项所述的多LED芯片，其中，所述LED阵列中的每个LED是可单独寻址的。