[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780036051.1 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109328399B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 朴修益;成演准;李容京;金珉成 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/22;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/58 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一个实施例提供一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层并且还包括从第二导电半导体层穿过有源层延伸到第一导电半导体层的第一凹槽和第二凹槽；第一电极，与第一凹槽中的第一导电半导体层接触；第二电极，与第二导电半导体层接触；以及反射层，形成在第二凹槽中，其中第二凹槽具有设置在第二导电半导体层的下侧的开口的下部、设置在第一导电半导体层上的上部以及从下部延伸到上部的侧部，并且反射层包括布置在第二凹槽的内部的反射部以及从第二凹槽的下部延伸并接触第二电极的延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、多个第一凹槽以及多个第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽通过穿过所述有源层从所述第二导电半导体层延伸到所述第一导电半导体层；第一电极，与位于所述第一凹槽中的所述第一导电半导体层接触；第二电极，在所述发光结构的下表面处与所述第二导电半导体层接触；以及反射层，设置在所述第二凹槽中；其中所述反射层包括设置在所述第二凹槽内部的反射部以及延伸到所述第二凹槽的外部从而与所述第二电极接触的延伸部。
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