[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

导电衬底；

发光结构，设置在所述导电衬底并且包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、多个第一凹槽以及多个第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽通过穿过所述有源层从所述第二导电半导体层延伸到所述第一导电半导体层；

第一电极，与位于所述第一凹槽中的所述第一导电半导体层接触；

第二电极，在所述发光结构的下表面处与所述第二导电半导体层接触；以及

反射层，设置在所述第二凹槽中；

其中所述反射层包括设置在所述第二凹槽内部的反射部以及延伸到所述第二凹槽的外部从而与所述第二电极接触的延伸部；

覆盖层，设置在所述反射层的下方，将所述第二电极电连接至第二电极焊盘；

所述发光结构包括设置在所述多个第一凹槽之间的低电流密度区域；并且

所述第二凹槽用于将所述反射层设置在所述低电流密度区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述反射层的所述反射部从所述第二电极延伸到所述第二凹槽，并且沿其侧部设置在所述第二凹槽的上部；

所述发光结构在所述发光结构的所述下表面与所述第二凹槽的所述上部之间具有预定高度；并且

所述反射层的下表面的宽度在所述反射层的高度的1.5倍至28倍的范围内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述反射层的所述下表面的所述宽度是相邻的第二电极之间的距离。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述反射层包括与所述第一导电半导体层对应的第一部以及与所述第二导电半导体层对应的第二部；并且

所述第一部的侧表面的倾斜度与所述第二部的侧表面的倾斜度不同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第一部的所述侧表面与底面之间的角度小于所述第二部的所述侧表面与所述底面之间的角度；并且

所述底面与所述第二导电半导体层的下表面共面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述反射层的水平横截面具有蜂窝形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述低电流密度区域的电流密度在设置有所述第一电极的区域的电流密度的30％至40％的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中通过设置所述低电流密度区域以彼此延伸并且将所述反射层设置在所述低电流密度区域中，所述反射层具有相互延伸的结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述反射层设置为围绕所述第一凹槽。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一凹槽的高度等于所述第二凹槽的高度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一凹槽的上表面的宽度大于所述第二凹槽的上表面的宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

当从上方看时，所述发光结构包括由所述第二凹槽分开的多个有源区；

所述第一电极设置在所述多个有源区的每一个中；并且

所述多个有源区的面积在所述第一凹槽的所述上表面的面积的2倍至5倍的范围内。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一导电半导体层包括与所述有源层相邻设置的低电阻层以及设置在所述低电阻层上的高电阻层；

所述高电阻层具有的Al含量高于所述低电阻层的Al含量；并且

所述第一电极设置在所述低电阻层上。