[发明专利]陶瓷电路基板及陶瓷电路基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780035559.X | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109315061B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 岸本贵臣 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;B23K35/30;C04B37/02;C22C5/06;H01L23/12;H05K1/02;H05K3/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的陶瓷电路基板由陶瓷基板、在上述陶瓷的一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜电路和在上述陶瓷的另一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜散热板构成。该接合层由钎料成分和规定浓度的活性金属构成，所述钎料成分由Ag等两种以上金属构成。并且，接合层由钎料层和含有活性金属的活性金属化合物层构成，所述钎料层由钎料成分构成，活性金属化合物层的接合面积在接合层的接合面积中所占的比例为88％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 路基 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电路基板，其由陶瓷基板、在所述陶瓷的一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜电路和在所述陶瓷的另一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜散热板构成，所述陶瓷电路基板的特征在于，所述接合层由钎料成分和至少一种以上活性金属成分构成，所述钎料成分以Ag作为必要成分并且由至少两种以上金属构成，所述活性金属的含量相对于接合层整体的金属元素量为0.5质量％以上且2.0质量％以下，所述接合层由钎料层和含有所述活性金属的活性金属化合物层构成，所述钎料层由所述钎料成分构成，所述活性金属化合物层沿着与所述陶瓷基板的接合界面形成，并且，所述活性金属化合物层与所述陶瓷基板的接合面积在所述接合层与所述陶瓷基板的接合面积中所占的比例为88％以上。
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