[发明专利]陶瓷电路基板及陶瓷电路基板的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电路基板，其由陶瓷基板、在所述陶瓷的一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜电路和在所述陶瓷的另一个面上经由接合层接合的由铜系材料构成的铜散热板构成，所述陶瓷电路基板的特征在于，

所述接合层由钎料成分和至少一种以上活性金属成分构成，所述钎料成分以Ag作为必要成分并且由至少两种以上金属构成，所述活性金属的含量相对于接合层整体的金属元素量为0.5质量％以上且2.0质量％以下，

所述接合层由钎料层和含有所述活性金属的活性金属化合物层构成，所述钎料层由所述钎料成分构成，所述活性金属化合物层沿着与所述陶瓷基板的接合界面形成，

并且，所述活性金属化合物层与所述陶瓷基板的接合面积在所述接合层与所述陶瓷基板的接合面积中所占的比例为88％以上。

2.如权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，作为钎料成分，含有Cu、Sn、In、Ni、Si、Li中的至少任意一种。

3.如权利要求1或权利要求2所述的陶瓷电路基板，其中，作为活性金属，含有Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、V、Cr、Y、Al、Mo中的至少任意一种。

4.如权利要求1或权利要求2所述的陶瓷电路基板，其中，活性金属化合物层的厚度相对于接合层整体为1/40以上且1/10以下。

5.如权利要求1或权利要求2所述的陶瓷电路基板，其中，接合层的厚度为5μm以上且50μm以下。

6.如权利要求1或权利要求2所述的陶瓷电路基板，其中，接合层含有Ag-Cu-Ti合金、Ag-Cu-Ti-Sn合金、Ag-Cu-Ti-Zr-Sn合金、Ag-Cu合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Cu-Zr合金中的至少任意一种。

7.如权利要求1或权利要求2所述的陶瓷电路基板，其中，陶瓷基板由氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、硼化镧、氮化硼、碳化硅、石墨中的任意一种构成。

8.一种陶瓷电路基板的制造方法，其是权利要求1～权利要求7中任一项所述的陶瓷电路基板的制造方法，其中，具有如下工序：

准备在由铜系材料构成的铜板材的单面上包覆有钎料成分与活性金属合金化而成的活性金属钎料的复合材料，

将所述复合材料以所述活性金属钎料接触的方式配置在陶瓷基板的两面上，然后，

对所述复合材料进行加热而使所述活性金属钎料熔融，将所述铜板材接合于所述陶瓷基板的两面上。

9.如权利要求8所述的陶瓷电路基板的制造方法，其中，活性金属钎料由Ag-Cu-Ti合金、Ag-Cu-Ti-Sn合金、Ag-Cu-Ti-Zr-Sn合金构成。

10.如权利要求8或权利要求9所述的陶瓷电路基板的制造方法，其中，将接合于陶瓷基板的一个面上的复合材料以使其平面形状为电路形状的方式进行加工。