[发明专利]半导体装置

摘要

在仅存在一层蓄积层的情况下，与存在多层蓄积层的情况相比，存在导通电压(Von)变高的问题。相对于此，在存在多层蓄积层的情况下，与仅存在一层蓄积层的情况相比，存在因载流子过于积存于蓄积层所以关断损耗(Eoff)增加的问题。在具有半导体基板的半导体装置中，半导体基板具备沿预先设定的方向延伸的两个沟槽部、设置在两个沟槽部之间的台面部、以及漂移层，台面部具有发射区、接触区以及在比发射区及接触区靠下方的位置沿深度方向并列地设置的多个蓄积层，至少一个蓄积层设置在发射区的至少一部分之下，但不设置在接触区的一部分区域的下方。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，所述半导体基板具备：两个沟槽部，其沿预先设定的方向延伸；台面部，其设置于所述两个沟槽部之间；以及第一导电型的漂移层，其设置于所述台面部的下方；所述台面部具有：第一导电型的发射区，其掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度，并且所述发射区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及多个蓄积层，其在比所述发射区及所述接触区靠下方的位置，沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向并列地设置，并且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，所述多个蓄积层中的至少一个蓄积层设置在所述发射区的至少一部分之下，但不设置在所述接触区的一部分区域的下方。