[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，

所述半导体基板具备：

两个沟槽部，其沿预先设定的方向延伸；

台面部，其设置于所述两个沟槽部之间；以及

第一导电型的漂移层，其设置于所述台面部的下方；

所述台面部具有：

第一导电型的发射区，其掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度，并且所述发射区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；

第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及

多个蓄积层，其在比所述发射区及所述接触区靠下方的位置，沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向并列地设置，并且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，

所述多个蓄积层中的至少一个蓄积层设置在所述发射区的至少一部分之下，但不设置在所述接触区的一部分区域的下方，

所述发射区和所述接触区在所述预先设定的方向上交替地设置，

所述至少一个蓄积层不设置在多个所述接触区中的各接触区的一部分区域的下方，

所述至少一个蓄积层是包含多个蓄积区的岛状蓄积层，所述多个蓄积区具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，并且在与所述深度方向垂直的平面上各自离散地设置，

所述多个蓄积区分别设置在所述发射区的至少一部分之下，但是不设置在所述接触区的一部分区域的下方而各自分离，

除在所述深度方向上最接近所述上表面的蓄积层以外的所有蓄积层是所述岛状蓄积层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部还具有基区，所述基区具有比所述接触区低的第二导电型的掺杂浓度，

所述发射区具有在所述半导体基板的内部不与所述接触区直接相接且与所述基区直接相接的底部区域，

所述多个蓄积区各自在所述预先设定的方向上的长度比所述底部区域在所述预先设定的方向上的长度长。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部还具有基区，所述基区具有比所述接触区低的第二导电型的掺杂浓度，

所述发射区具有在所述半导体基板的内部不与所述接触区直接相接且与所述基区直接相接的底部区域，

所述多个蓄积区各自在所述预先设定的方向上的长度比所述底部区域在所述预先设定的方向上的长度短。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述多个蓄积区各自在所述预先设定的方向上的长度设为L_CHS，并将所述发射区的所述底部区域在所述预先设定的方向上的长度设为L₀的情况下，所述L_CHS及所述L₀满足0.5≤L_CHS/L₀≤2。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述多个蓄积区各自在所述预先设定的方向上的长度设为L_CHS，并将所述发射区的所述底部区域在所述预先设定的方向上的长度设为L₀的情况下，所述L_CHS及所述L₀满足0.5≤L_CHS/L₀≤2。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部还具有高浓度接触区，所述高浓度接触区包含位于所述半导体基板的上表面的上部和与所述接触区相接的下部，并且具有比所述接触区高的第二导电型的掺杂浓度。

7.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备晶体管部、二极管部以及在所述晶体管部设置于与所述二极管部邻接的一部分区域的边界部，

所述二极管部在从所述上表面朝向所述下表面的深度方向上具备一个以上的蓄积层。