[发明专利]用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠有效

专利信息
申请号: 201780033216.X 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN109716535B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 基兰·马克·特雷西;戴维·D·史密斯;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁;阿斯纳特·马萨德;安·瓦尔德豪尔 申请(专利权)人: 迈可晟太阳能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 陈炜
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明描述了用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠以及所得到的太阳能电池。在一个实例中,太阳能电池包括基板。半导体结构设置于基板上方。半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的P型半导体层。第三半导体层直接设置于P型半导体层上。第三半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度。P型半导体层的最外侧边缘自第三半导体层的最外侧边缘倾斜至第三半导体层的最外侧边缘。导电触点结构电连接至半导体结构。
搜索关键词: 用于 太阳能电池 图案 特征 三层 半导体 堆叠
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:基板;设置于所述基板上方的半导体结构,所述半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的P型半导体层,及直接设置于所述P型半导体层上的第三半导体层,其中所述第三半导体层的最外侧边缘自所述第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度,并且其中所述P型半导体层的最外侧边缘自所述第一半导体层的所述最外侧边缘倾斜至所述第三半导体层的所述最外侧边缘;以及电连接至所述半导体结构的导电触点结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈可晟太阳能有限公司,未经迈可晟太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780033216.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top