[发明专利]用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠有效
申请号: | 201780033216.X | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN109716535B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 基兰·马克·特雷西;戴维·D·史密斯;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁;阿斯纳特·马萨德;安·瓦尔德豪尔 | 申请(专利权)人: | 迈可晟太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠以及所得到的太阳能电池。在一个实例中,太阳能电池包括基板。半导体结构设置于基板上方。半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的P型半导体层。第三半导体层直接设置于P型半导体层上。第三半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度。P型半导体层的最外侧边缘自第三半导体层的最外侧边缘倾斜至第三半导体层的最外侧边缘。导电触点结构电连接至半导体结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 图案 特征 三层 半导体 堆叠 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:基板;设置于所述基板上方的半导体结构,所述半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的P型半导体层,及直接设置于所述P型半导体层上的第三半导体层,其中所述第三半导体层的最外侧边缘自所述第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度,并且其中所述P型半导体层的最外侧边缘自所述第一半导体层的所述最外侧边缘倾斜至所述第三半导体层的所述最外侧边缘;以及电连接至所述半导体结构的导电触点结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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