[发明专利]使用铜金属间化合物提高铜互连中的可靠性的技术在审
| 申请号： | 201780033175.4 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN109196635A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡朝坤;C·拉沃伊;S·罗森纳格;T·M·邵 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于使用Cu金属间化合物提高Cu互连的可靠性的技术。在一方面，一种在Cu线(112)上方的电介质(114)中形成Cu互连的方法包括以下步骤：在Cu线(112)上方的电介质(114)中形成至少一个通孔(116)；将金属层(118)沉积到电介质(114)上并衬垫通孔(116)，使得金属层(118)与通孔(116)底部的Cu线(112)接触，其中金属层(118)包含至少一种能与Cu反应以形成Cu金属间化合物的金属；在足以在通孔(116)底部形成Cu金属间阻隔(120)的条件下，使金属层(118)和Cu线(112)退火；将Cu(122)电镀到通孔(116)中以形成Cu互连，其中Cu互连通过Cu金属间阻隔层(120)与Cu线(112)分离。还提供了一种装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 金属层 互连 电介质 金属间化合物 金属 退火 装置结构 铜互连 铜金属 阻隔层 电镀 沉积 阻隔 | ||
【主权项】：
1.一种在Cu线上方的电介质中形成铜(Cu)互连的方法，所述方法包括以下步骤：在Cu线上方的电介质中形成至少一个通孔；在所述电介质上沉积金属层并衬垫所述通孔，使得所述金属层与所述通孔底部的Cu线接触，其中所述金属层包含至少一种能与Cu反应以形成Cu金属间化合物的金属；在足以在通孔底部形成Cu金属间化合物阻隔的条件下退火所述金属层和Cu线；和将Cu电镀到所述通孔中以形成所述Cu互连，其中所述Cu互连通过Cu金属间化合物阻隔与Cu线分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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