[发明专利]液体输送系统在审
申请号: | 201780032906.3 | 申请日: | 2017-04-04 |
公开(公告)号: | CN109564885A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | C·梅尔采尔;P·R·巴罗斯;H·久保田;R·特勒;T·库什曼;G·P·马利根 | 申请(专利权)人: | 艾科系统公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑勇 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种能够分配液体化学品的系统,包括衬底块,所述衬底块包括在所述块的第一主表面上形成的至少两个孔口和在两个孔口之间延伸的流体通道。流体路径优选为平滑的无缝路径,其中流体路径的整个体积直接与所需要的流体流相一致,从而使流体流完全扫过整个流动通道,并且所述流体通道中不存在死体积或滞留区域。可以使用新的组合物和制造工艺从氟聚合物中形成衬底块。提供一种密封组件,其使用可替换插入式密封件和形成于模块化部件中的榫槽密封件的组合。 | ||
搜索关键词: | 衬底 流体路径 流体通道 流体流 孔口 液体输送系统 插入式密封 模块化部件 分配液体 氟聚合物 流动通道 密封组件 制造工艺 榫槽密封 化学品 可替换 主表面 平滑 优选 滞留 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种液体输送系统,包括:衬底块,所述衬底块包括在第一表面上形成的第一衬底孔口和第二衬底孔口,和第一液体通道,所述第一液体通道向第一方向延伸并将第一衬底孔口流体连接到第二衬底孔口;第一有源部件,所述第一有源部件流体连接到第一衬底孔口,以及,与第一有源部件不同的第二有源部件,所述第二有源部件流体连接到第二衬底孔口;其中,所述第一液体通道没有死体积或液体滞留区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造