[发明专利]太阳能电池、太阳能电池的制造系统及太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201780032752.8 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109392312B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 三田怜;渡部武纪;大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于廉价地提供高转换效率的太阳能电池。本发明的太阳能电池具备保护半导体基板(101)的钝化膜、在半导体基板的主面与半导体基板连接的第一副栅线电极(201)、与第一副栅线电极(201)交叉的第一主栅线电极(202)、和设置于第一副栅线电极(201)与第一主栅线电极(202)的交叉位置的中间层(203)，第一副栅线电极(201)和第一主栅线电极(202)经由中间层(203)相互电导通。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其特征在于，具备：钝化膜，其保护半导体基板；第一副栅线电极，其在所述半导体基板的主面与所述半导体基板连接；第一主栅线电极，其与所述第一副栅线电极交叉；和中间层，其设置于所述第一副栅线电极与所述第一主栅线电极的交叉位置，所述第一副栅线电极和所述第一主栅线电极经由所述中间层而相互电导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
