[发明专利]太阳能电池、太阳能电池的制造系统及太阳能电池的制造方法有效
| 申请号: | 201780032752.8 | 申请日: | 2017-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN109392312B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
| 发明(设计)人: | 三田怜;渡部武纪;大塚宽之 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
| 地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 系统 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,具备:
钝化膜,其保护半导体基板;
第一副栅线电极,其在所述半导体基板的主面与所述半导体基板连接;
第一主栅线电极,其与所述第一副栅线电极交叉;和
中间层,其设置于所述第一副栅线电极与所述第一主栅线电极的交叉位置,
所述第一副栅线电极和所述第一主栅线电极经由所述中间层而相互电导通,
所述第一副栅线电极包含铝的烧结体,
所述第一主栅线电极包含环氧树脂与银的烧结体、或者丙烯酸类树脂与银的烧结体,
所述中间层包含玻璃料与银的烧结体。
2.一种太阳能电池,其特征在于,具备:
第一导电型的第一杂质扩散层,其设置于半导体基板的主面;
第二导电型的第二杂质扩散层,其设置于所述主面;
钝化膜,其保护所述半导体基板、所述第一杂质扩散层及所述第二杂质扩散层;
第一副栅线电极,其在所述主面与所述第一杂质扩散层连接;
第二副栅线电极,其在所述主面与所述第二杂质扩散层连接;
第一主栅线电极,其与所述第一副栅线电极交叉;
第二主栅线电极,其与所述第二副栅线电极交叉;和
中间层,其设置于所述第一副栅线电极与所述第一主栅线电极的交叉位置,
所述第一副栅线电极和所述第一主栅线电极经由所述中间层相互电导通,
所述第一副栅线电极包含铝的烧结体,
所述第一主栅线电极包含环氧树脂与银的烧结体、或者丙烯酸类树脂与银的烧结体,
所述第二副栅线电极及所述中间层包含玻璃料与银的烧结体。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,
将在所述第一副栅线电极与所述第一主栅线电极的交叉位置上朝向与所述主面正交的方向观察时的所述中间层的面积设为A、并且将所述第一副栅线电极与所述第一主栅线电极交叉的面积设为B的情况下,
A/B为0.01以上且1以下。
4.一种太阳能电池的制造系统,其特征在于,具备:
成膜装置,其形成保护半导体基板的钝化膜;
副栅线电极形成装置,其在所述半导体基板的主面形成与所述半导体基板连接的第一副栅线电极;
中间层形成装置,其在所述第一副栅线电极上形成中间层;和
主栅线电极形成装置,其形成隔着所述中间层与所述第一副栅线电极交叉的第一主栅线电极,
所述副栅线电极形成装置将导电性铝糊剂烧成而形成所述第一副栅线电极,
所述中间层形成装置将包含玻璃料的第一导电性银糊剂烧成而形成所述中间层,
所述导电性铝糊剂和所述第一导电性银糊剂被同时烧成,
所述主栅线电极形成装置将包含环氧树脂或丙烯酸类树脂的第二导电性银糊剂加热而形成所述第一主栅线电极,
所述导电性铝糊剂及所述第一导电性银糊剂的烧成时峰温度与所述第二导电性银糊剂的加热时峰温度之差为300℃以上且700℃以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





