[发明专利]研磨液和研磨物的制造方法有效
| 申请号： | 201780031950.2 | 申请日： | 2017-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN109392311B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 松尾贤;松山雅之;熊谷彰记 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的研磨液含有高锰酸离子、弱酸及其可溶性盐。研磨开始前的pH在25℃下优选为0.5～6.0。在25℃下向将pH调整为3.0～4.0的上述研磨液100mL中添加浓度为0.1mol/L的氢氧化钠的水溶液时使pH上升0.5所需要的氢氧化钠的水溶液的添加量优选为0.1mL～100mL。弱酸优选为醋酸。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨液，其含有高锰酸离子、弱酸及其可溶性盐。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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