[发明专利]用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件有效
| 申请号： | 201780029666.1 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109155228B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 弗洛里安·克里彭多夫;康斯坦丁·科萨托 | 申请（专利权）人： | MI2工厂有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及注入设备，注入系统和方法。注入设备包括过滤器框架和由该过滤器框架固定的过滤器，其中所述过滤器设计为由离子束照射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 晶片 离子 注入 系统 能量 过滤 元件 | ||
【主权项】：
1.一种注入设备，包括：过滤器框架，和由所述过滤器框架固定的过滤器，所述过滤器配置为由穿过所述过滤器的离子束照射。
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