[发明专利]用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件

权利要求书

1.一种注入设备，包括：

过滤器框架，和

由所述过滤器框架固定的过滤器，所述过滤器配置为由穿过所述过滤器的离子束照射，其中所述过滤器具有基底和由所述基底突出的结构，其中所述结构是具有至少两个不同的材料层的分层结构，所述材料层在照射方向上布置于彼此之上，并且其中所述至少两个不同的材料层具有对于所述离子束不同的预定的阻止本领。

2.根据权利要求1所述的注入设备，其中，所述过滤器包括彼此相邻布置的至少两个不同的结构的过滤元件，其中所述过滤器元件彼此间隔特定距离布置在所述过滤器框架中，并且通过所述过滤器框架的网彼此分开。

3.根据权利要求1所述的注入设备，进一步包括：

设置于所述过滤器上或设置于所述过滤器之后的传输的束中的准直器结构。

4.根据权利要求3所述的注入设备，其中，所述准直器结构包括至少一个具有长度和宽度的管，其中所述宽度与所述长度的比率小于1，小于2，小于5或小于10。

5.根据权利要求1所述的注入设备，进一步包括：

电子可读存储器，具有存储于所述存储器中的与所述过滤器有关的信息。

6.根据权利要求5所述的注入设备，其中，所述信息包括以下中的至少一种：

签名，

所述过滤器的最大可允许温度，和

最大可允许照射剂量。

7.一种注入系统，包括：

具有开口的壁；

过滤器固定件，其布置于所述壁上的所述开口的区域中并具有接收部分；

接收于所述过滤器固定件的所述接收部分中的过滤器框架；和

由所述过滤器框架固定的过滤器，所述过滤器配置为由穿过所述过滤器的离子束照射；

其中所述过滤器具有基底和由所述基底突出的结构，其中所述结构是具有至少两个不同的材料层的分层结构，所述材料层在照射方向上布置于彼此之上，并且其中所述至少两个不同的材料层具有对于所述离子束不同的预定的阻止本领。

8.根据权利要求7所述的注入系统，其中，所述过滤器固定件包括集成到所述过滤器固定件中或布置于所述过滤器固定件上的冷却装置。

9.根据权利要求8所述的注入系统，其中，所述冷却装置包括至少一个冷却剂管线。

10.根据权利要求7所述的注入系统，进一步包括：

布置于所述开口之前的离子束偏转系统。

11.根据权利要求7所述的注入系统，其中，所述过滤器固定件以非接触方式固定所述过滤器框架，其中所述过滤器固定件包括至少一个固定所述过滤器框架的磁体。

12.一种掺杂晶片的方法，包括：

通过使用注入设备用离子束照射所述晶片而将离子注入所述晶片，所述注入设备包括：

过滤器框架，和

由所述过滤器框架固定的过滤器，其中所述过滤器由穿过所述过滤器的离子束照射，

其中所述过滤器具有基底和由所述基底突出的结构，其中所述结构是具有至少两个不同的材料层的分层结构，所述材料层在照射方向上布置于彼此之上，并且其中所述至少两个不同的材料层选择为具有对于所述离子束不同的预定的阻止本领。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，过滤器包括至少一个平坦表面，并且其中所述过滤器相对于所述离子束以所述离子束的方向相对于所述平坦表面倾斜的方式取向。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述过滤器的表面积大于所述晶片的表面积。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

在所述晶片附近布置监测结构并进行向所述监测结构中的注入。

16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

以使得所述过滤器的微结构背向所述晶片且面向所述离子束的方式布置所述过滤器。