[发明专利]压电式微加工超声换能器(PMUT)有效
| 申请号： | 201780027435.7 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN109196671B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 埃尔德温·NG;朱丽叶斯·明林·蔡;尼克尔·艾佩特 | 申请（专利权）人： | 应美盛公司 |
| 主分类号： | H10N30/87 | 分类号： | H10N30/87;H10N30/20;B06B1/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压电式微加工超声换能器(PMUT)装置。PMUT包括基板和连接至该基板的边缘支承结构。膜连接至该边缘支承结构，使得在该膜与该基板之间限定有腔，其中，该膜被配置成能够以超声频率移动。该膜包括压电层和耦接至该压电层的相对侧的第一电极和第二电极。在该腔内设置有内部支承结构，该内部支承结构连接至该基板和该膜。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 式微 加工 超声 换能器 pmut | ||
【主权项】：
1.一种压电式微加工超声换能器PMUT装置，包括：基板；边缘支承结构，所述边缘支承结构连接至所述基板；膜，所述膜连接至所述边缘支承结构，使得在所述膜与所述基板之间限定有腔，所述膜被配置成允许以超声频率移动，所述膜包括：压电层；以及第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极耦接至所述压电层的相对侧；以及内部支承结构，所述内部支承结构设置在所述腔内并且连接至所述基板和所述膜。
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